Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"Chowdhury, Iftekhar A."'
Autor:
Turkki, Paula1,2 (AUTHOR), Chowdhury, Iftekhar3 (AUTHOR), Öhman, Tiina3 (AUTHOR), Azizi, Latifeh1 (AUTHOR), Varjosalo, Markku3 (AUTHOR), Hytönen, Vesa P.1,2 (AUTHOR) vesa.hytonen@tuni.fi
Publikováno v:
Scientific Reports. 8/27/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-16. 16p.
Publikováno v:
In Pharmacological Research May 2024 203
Autor:
Kostel Bal, Sevgi, Giuliani, Sarah, Block, Jana, Repiscak, Peter, Hafemeister, Christoph, Shahin, Tala, Kasap, Nurhan, Ransmayr, Bernhard, Miao, Yirun, van de Wetering, Cheryl, Frohne, Alexandra, Jimenez Heredia, Raul, Schuster, Michael, Zoghi, Samaneh, Hertlein, Vanessa, Thian, Marini, Bykov, Aleksandr, Babayeva, Royala, Bilgic Eltan, Sevgi, Karakoc-Aydiner, Elif, Shaw, Lisa E., Chowdhury, Iftekhar, Varjosalo, Markku, Argüello, Rafael J., Farlik, Matthias, Ozen, Ahmet, Serfling, Edgar, Dupré, Loïc, Bock, Christoph, Halbritter, Florian, Hannich, J. Thomas, Castanon, Irinka, Kraakman, Michael J., Baris, Safa, Boztug, Kaan
Publikováno v:
In Blood 31 August 2023 142(9):827-845
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chowdhury, Iftekhar1,2 (AUTHOR) iftekhar.chowdhury@helsinki.fi, Dashi, Giovanna1,2 (AUTHOR), Keskitalo, Salla1,2 (AUTHOR) salla.keskitalo@helsinki.fi
Publikováno v:
Cancers. Aug2023, Vol. 15 Issue 15, p3838. 28p.
Publikováno v:
In Journal of Housing Economics June 2021 52
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chandrashekhar, MVS, Chowdhury, Iftekhar, Kaminski, P., Kozlowski, R., Klein, P. B., Sudarshan, Tangali
Thick, high-purity semi-insulating (SI)homoepitaxial layers on Si-face 4H-SiC weregrownsystematically, with resistivity \geq 109{\Omega}-cmby maintaining high C/Si ratios 1.3-15 during growth.Comparison of secondary ion mass spectra betweenlow-dopede
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1104.4509
