Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"Chizhevskii, E. G."'
Autor:
Kuntsevich, A. Yu., Bryzgalov, M. A., Prudkoglyad, V. A., Martovitskii, V. P., Selivanov, Yu. G., Chizhevskii, E. G.
Publikováno v:
New Journal of Physics, 20, 103022 (2018)
An archetypical layered topological insulator Bi$_2$Se$_3$ becomes superconductive upon doping with Sr, Nb or Cu. Superconducting properties of these materials in the presence of in-plane magnetic field demonstrate spontaneous symmetry breaking: 180$
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1801.09287
Autor:
Aronzon, B. A., Oveshnikov, L. N., Prudkoglyad, V. A., Selivanov, Yu. G., Chizhevskii, E. G., Kugel, K. I., Karateev, I. A., Vasiliev, A. L., Lahderanta, E.
Structural, magnetic and magnetotransport properties of (Bi$_{1-x}$Eu$_x$)$_2$Se$_3$ thin films have been studied experimentally as a function of Eu content. The films were synthesized by MBE. It is demonstrated that Eu distribution is not uniform, i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.06200
Autor:
Kuntsevich, A. Yu., Gabdullin, A. A., Prudkogliad, V. A., Selivanov, Yu. G., Chizhevskii, E. G., Pudalov, V. M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 94, 235401 (2016)
Bismuth chalcogenides are the most studied 3D topological insulators. As a rule, at low temperatures thin films of these materials demonstrate positive magnetoresistance due to weak antilocalization. Weak antilocalization should lead to resistivity d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1607.02034
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Selivanov, Yu. G.1 selivan@sci.lebedev.ru, Chizhevskii, E. G.1, Martovitskiy, V. P.1, Knotko, A. V.2, Zasavitskii, I. I.1
Publikováno v:
Inorganic Materials. Oct2010, Vol. 46 Issue 10, p1065-1071. 7p. 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 3 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Maremyanin, K. V., Ikonnikov, A. V., Bovkun, L. S., Rumyantsev, V. V., Chizhevskii, E. G., Zasavitskii, I. I., Gavrilenko, V. I.
Publikováno v:
Semiconductors; Dec2018, Vol. 52 Issue 12, p1590-1594, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.