Knihovna AV ČR, v. v. i.
  • Odhlásit
  • Přihlášení
  • Jazyk
    • English
    • Čeština
  • Instituce
    • Knihovna AV ČR
    • Souborný katalog AV ČR
    • Archeologický ústav Brno
    • Archeologický ústav Praha
    • Astronomický ústav
    • Biofyzikální ústav
    • Botanický ústav
    • Etnologický ústav
    • Filosofický ústav
    • Fyzikální ústav
    • Fyziologický ústav
    • Geofyzikální ústav
    • Geologický ústav
    • Historický ústav
    • Masarykův ústav
    • Matematický ústav
    • Orientální ústav
    • Psychologický ústav
    • Slovanský ústav
    • Sociologický ústav
    • Ústav analytické chemie
    • Ústav anorganické chemie
    • Ústav pro českou literaturu
    • Ústav dějin umění
    • Ústav fyziky atmosféry
    • Ústav fotoniky a elektroniky
    • Ústav fyzikální chemie J. H.
    • Ústav fyziky materiálů
    • Ústav geoniky
    • Ústav pro hydrodynamiku
    • Ústav chemických procesů
    • Ústav informatiky
    • Ústav pro jazyk český
    • Ústav jaderné fyziky
    • Ústav makromolekulární chemie
    • Ústav pro soudobé dějiny
    • Ústav přístrojové techniky
    • Ústav státu a práva
    • Ústav struktury a mechaniky hornin
    • Ústav teoretické a aplikované mechaniky
    • Ústav teorie informace a automatizace
    • Ústav výzkumu globální změny
Pokročilé vyhledávání
  • Domovská stránka
  • Vyhledávání: "Ching-Chieh Shih"
  • Navrhnout nákup titulu
Zobrazeno 1 - 10 of 18 pro vyhledávání: '"Ching-Chieh Shih"'
1
Dissertation/ Thesis
The fabrication of Si1-xGex MOSFET
Autor: Ching-Chieh Shih, 石靖節
91
The fabrication of Si1-XGeX MOSFET Abstract We have investigated the nMOSFET and pMOSFET with strain Si1-xGex/ Si heterostructure channels formed. The experimental results promise the potential of SiGe heterostructure MOSFET in CMOS applicati
Externí odkaz: http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/08347575822759924381
Zobrazit plný text záznamu
2
Low temperature defect passivation technology for semiconductor electronic devices—supercritical fluids treatment process
Autor: Chih-Yang Lin, Ching-Chieh Shih, Ting-Chang Chang, P.-H. Chen
Publikováno v: Materials Today Physics. 14:100225
Currently, defects existing in materials and at the interface are the main bottlenecks limiting the manufacture of high-performance electron devices, especially semiconductor devices where the performance and reliability are affected by these defects
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::614c45af480aa2595d325c7d7eaca43b
https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2020.100225
Zobrazit plný text záznamu
3
Electrical Properties of Metal–Silicon Nitride–Hydrogenated Amorphous Silicon Capacitor Elucidated Using Admittance Spectroscopy
Autor: Kuo Hsi Yen, Jenn-Fang Chen, Ching Chieh Shih, Yeong Shyang Lee, Ming Ta Hsieh, Hsiao-Wen Zan, Chih Hsien Chen, Chan Ching Chang
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics. 47:8714-8718
Detailed admittance spectroscopy was performed on a metal–silicon nitride–hydrogenated amorphous silicon (MIAS) structure. On the basis of the properties of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), three simplified equivalent circuit models under
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4e8f827c3c2460aafd1f931423dda301
https://doi.org/10.1143/jjap.47.8714
Zobrazit plný text záznamu
4
A Current Estimation Method for Bias-Temperature Stress of a-Si TFT Device
Autor: Yeong-Shyang Lee, Ching-Chieh Shih, Feng-Yuan Gan, Kuo-Lung Fang, Ching-Hung Chen
Publikováno v: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 7:347-350
We have studied the time-dependence degradation of ON current of amorphous silicon thin-film transistors (a-Si:H TFTs), which is a function of stress duration, stress temperature, and stress bias. A simple method with stretched-exponential equation a
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5ce4525b4227e0cf383d1c643065c684
https://doi.org/10.1109/tdmr.2007.901068
Zobrazit plný text záznamu
5
Analysis of Degradation Mechanism in SONOS-TFT Under Hot-Carrier Operation
Autor: Ming-Hsien Lee, Ting-Chang Chang, Chia-Sheng Lin, Jim-Shone Chen, Hung Wei Li, Fu-Yen Jian, Ching-Chieh Shih, Tien-Yu Hsieh, Shih-Ching Chen, Te-Chih Chen
Publikováno v: IEEE Electron Device Letters. 31:1413-1415
This letter investigates the degradation mechanism of polycrystalline silicon thin-film transistors with a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon structure under off -state stress. During the electrical stress, the hot hole generated from band-to-band t
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::17e7b0dc85a995db2a75206f09d2148e
https://doi.org/10.1109/led.2010.2079912
Zobrazit plný text záznamu
6
Improvement of Memory State Misidentification Caused by Trap-Assisted GIDL Current in a SONOS-TFT Memory Device
Autor: Chia-Sheng Lin, Ching-Chieh Shih, Jim-Shone Chen, Shih-Ching Chen, Ming-Hsien Lee, Ting-Chang Chang, Fu-Yen Jian, Te-Chih Chen
Publikováno v: IEEE Electron Device Letters. 30:834-836
This letter studies the nonvolatile memory characteristics of polycrystalline-silicon thin-film transistors with a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) structure. As the device was programmed, significant trap-assisted gate-induced drain leaka
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c8da77ea67428c59b229104749ae95c0
https://doi.org/10.1109/led.2009.2023827
Zobrazit plný text záznamu
7
Dynamic Bias Instability of p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Induced by Impact Ionization
Autor: Hung-Chang Sun, Yuan-Jun Hsu, Ching-Chieh Shih, Yen-Ting Chen, Jim-Shone Chen, Ying-Jhe Yang, Chee-Wee Liu, Chun-Yuan Ku, Ching-Fang Huang
Publikováno v: IEEE Electron Device Letters. 30:368-370
The dynamic stress switching of p-channel polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistors from full depletion to accumulation bias creates the high electric field near source/drain (S/D) junctions due to the slow formation of the accumulated
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::108e9f1106329c431fe8fd98e1697014
https://doi.org/10.1109/led.2009.2013644
Zobrazit plný text záznamu
8
Effect of substrate biasing on Si/SiGe heterostructure MOSFETs for low-power circuit applications
Autor: Pei-Wen Li, Wei-Ming Liao, Ching-Chieh Shih, Ming-Jinn Tsai, Tine-Shang Kuo, Li-Shyue Lai, Yang-Tai Tseng
Publikováno v: IEEE Electron Device Letters. 24:454-456
We have investigated the effect of substrate biasing on the subthreshold characteristics and noise levels of Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x/ (x=0,0.15,0.3) heterostructure MOSFETs. A detailed analysis of the dependence of threshold voltage, off-state current
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24a74016a4217084abd54e92efa330f3
https://doi.org/10.1109/led.2003.814023
Zobrazit plný text záznamu
9
Comprehensive study of bias temperature instability on polycrystalline silicon thin-film transistors
Autor: Yuan-Jun Hsu, Yit-Tsong Chen, Ching-Fang Huang, Hung-Chang Sun, Ching-Chieh Shih, J.-S. Chen, Chee-Wee Liu, King-Chuen Lin
Publikováno v: 2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology.
The negative and positive bias temperature instabilities are investigated on p-channel and n-channel TFTs with four different combinations. The stress-induced hump in the subthreshold region is observed for PBTI on p-channel TFTs and NBTI on n-channe
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2b2adcf57f66c65dfd0355a8a442fd08
https://doi.org/10.1109/icsict.2008.4734622
Zobrazit plný text záznamu
10
Unusual Threshold Voltage Shift Caused by Self-Heating-Induced Charge Trapping Effect
Autor: Ching-Chieh Shih, Chia-Sheng Lin, Shih-Ching Chen, An-Kuo Chu, Hung Wei Li, Ming-Hsien Lee, Ting-Chang Chang, Jim-Shone Chen, Te-Chih Chen, Fu-Yen Jian
Publikováno v: Electrochemical and Solid-State Letters. 13:H95
This article investigates the threshold voltage (V t ) shift induced by a self-heating effect for n-channel low temperature poly-Si thin film transistors (TFTs) and finds that there is a shift of more than 3 V in the negative direction after a self-h
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f995420ddd6bf4cfb4c588249e90d039
https://doi.org/10.1149/1.3290686
Zobrazit plný text záznamu
  • 1
  • 2
  • Další »
  • [2]

Vyhledávací nástroje:

  • RSS
  • Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje
Pouze tištěné dokumenty
Zahrnout EIZ
  • 4 Akademické články
  • 1 Dissertations
  • 12 business
  • 12 business.industry
  • 12 materials science
  • 10 optoelectronics
  • 10 thin-film transistor
  • 8 electrical engineering
  • 6 electrical and electronic engineering
  • 6 law
  • 6 law.invention
  • 6 transistor
  • 5 electronic, optical and magnetic materials
  • 5 engineering
  • 4 chemistry
  • 4 engineering.material
  • 4 polycrystalline silicon
  • 3 amorphous silicon
  • 3 chemistry.chemical_compound
  • 3 silicon
  • 3 thin film transistors
  • 2 activation energy
  • 2 active layer
  • 2 analytical chemistry
  • 2 chemistry.chemical_element
  • 2 condensed matter physics
  • 2 current (fluid)
  • 2 degradation (geology)
  • 2 electric field
  • 2 electron
  • 2 general materials science
  • 2 impact ionization
  • 2 physics and astronomy (miscellaneous)
  • 2 polycrystals
  • 2 reliability (semiconductor)
  • 2 semiconductor
  • 2 substrate (electronics)
  • 2 subthreshold conduction
  • 2 threshold voltage
  • 1 01 natural sciences
  • 1 0104 chemical sciences
  • 1 010402 general chemistry
  • 1 02 engineering and technology
  • 1 0210 nano-technology
  • 1 021001 nanoscience & nanotechnology
  • 1 amorphous semiconductors
  • 1 annealing (metallurgy)
  • 1 approximation theory
  • 1 bandgap voltage reference
  • 1 biasing
  • 1 bias-temperature stress
  • 1 body contact
  • 5 ieee
  • 5 institute of electrical and electronics engineers (ieee)
  • 4 wiley
  • 1 elsevier bv
  • 1 iop publishing
  • 1 the electrochemical society
  • 7 ieee electron device letters
  • 4 sid symposium digest of technical papers
  • 1 2008 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology
  • 1 electrochemical and solid-state letters
  • 1 ieee transactions on device & materials reliability
  • 1 ieee transactions on device and materials reliability
  • 1 japanese journal of applied physics
  • 1 materials today physics
  • 13 OpenAIRE
  • 4 Complementary Index
  • 1 Networked Digital Library of Theses & Dissertations
1400 : 2025
1400
2025

Možnosti vyhledávání

  • Tematická mapa
  • Historie vyhledávání
  • Pokročilé vyhledávání

Objevte více

  • Abecední procházení

Hledáte pomoc?

  • Tipy pro vyhledávání
načítá se......