Zobrazeno 1 - 10
of 526
pro vyhledávání: '"Chin, Albert"'
Autor:
Islamov, Damir R., Gritsenko, Vladimir A., Perevalov, Timofey V., Aliev, Vladimir Sh., Nadolinny, Vladimir A., Chin, Albert
Publikováno v:
In Materialia March 2021 15
Origin of defects responsible for charge transport in resistive random access memory based on hafnia
Autor:
Islamov, Damir R., Perevalov, T. V., Gritsenkov, V. A., Aliev, V. Sh., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V., Cheng, C. H., Chin, Albert
A promising candidate for universal memory, which would involve combining the most favourable properties of both high-speed dynamic random access memory (DRAM) and non-volatile flash memory, is resistive random access memory (ReRAM). ReRAM is based o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.0071
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials (2079-4991); Jun2023, Vol. 13 Issue 12, p1892, 13p
Publikováno v:
In Solid State Electronics April 2013 82:111-114
Publikováno v:
Advanced Materials Technologies; Apr2023, Vol. 8 Issue 7, p1-10, 10p
Publikováno v:
In Solid State Electronics July 2012 73:60-63
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2011 62(1):90-93