Zobrazeno 1 - 10
of 492
pro vyhledávání: '"Childs, K."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jock, R. M., Shankar, S., Tyryshkin, A. M., He, Jianhua, Eng, K., Childs, K. D., Tracy, L. A., Lilly, M. P., Carroll, M. S., Lyon, S. A.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 100, 023503 (2012)
We present an electron spin resonance (ESR) approach to characterize shallow electron trapping in band-tail states at Si/SiO2 interfaces in metal-oxide-semiconductor (MOS) devices and demonstrate it on two MOS devices fabricated at different laborato
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1110.0757
Autor:
Tracy, L. A., Nordberg, E. P., Young, R. W., Pinilla, C. Borras, Stalford, H. L., Eyck, G. A. Ten, Eng, K., Childs, K. D., Stevens, J., Lilly, M. P., Eriksson, M. A., Carroll, M. S.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 97, 192110 (2010)
We present transport measurements of a tunable silicon metal-oxide-semiconductor double quantum dot device with lateral geometry. Experimentally extracted gate-to-dot capacitances show that the device is largely symmetric under the gate voltages appl
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1011.0034
Autor:
Nordberg, E. P., Stalford, H. L., Young, R., Eyck, G. A. Ten, Eng, K., Tracy, L. A., Childs, K. D., Wendt, J. R., Grubbs, R. K., Stevens, J., Lilly, M. P., Eriksson, M. A., Carroll, M. S.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 95, 202102 (2009)
Laterally coupled charge sensing of quantum dots is highly desirable, because it enables measurement even when conduction through the quantum dot itself is suppressed. In this work, we demonstrate such charge sensing in a double top gated MOS system.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0909.3547
Autor:
Nordberg, E. P., Eyck, G. A. Ten, Stalford, H. L., Muller, R. P., Young, R. W., Eng, K., Tracy, L. A., Childs, K. D., Wendt, J. R., Grubbs, R. K., Stevens, J., Lilly, M. P., Eriksson, M. A., Carroll, M. S.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 80, 115331 (2009)
We present measurements of silicon (Si) metal-oxide-semiconductor (MOS) nanostructures that are fabricated using a process that facilitates essentially arbitrary gate geometries. Stable Coulomb blockade behavior free from the effects of parasitic dot
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0906.3748
Autor:
Tracy, L. A., Hwang, E. H., Eng, K., Eyck, G. A. Ten, Nordberg, E. P., Childs, K., Carroll, M. S., Lilly, M. P., Sarma, S. Das
Publikováno v:
Phys. Rev. B 79, 235307 (2009)
By analyzing the temperature ($T$) and density ($n$) dependence of the measured conductivity ($\sigma$) of 2D electrons in the low density ($\sim10^{11}$cm$^{-2}$) and temperature (0.02 - 10 K) regime of high-mobility (1.0 and 1.5 $\times 10^4$ cm$^2
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0811.1394
Autor:
Andrejeva, J., Childs, K. S., Young, D. F., Carlos, T. S., Stock, N., Goodbourn, S., Randall, R. E., Lamb, Robert A.
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2004 Dec 01. 101(49), 17264-17269.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3373994
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Beloukas, A., King, S., Childs, K., Papadimitropoulos, A., Hopkins, M., Atkins, M., Agarwal, K., Nelson, M., Geretti, A.M.
Publikováno v:
In Clinical Microbiology and Infection November 2015 21(11):1033-1039