Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Chiang Ping-Hung"'
Novel integration techniques of 'recessed' high voltage field-drift MOSFET with HK/MG RMG technology
Autor:
Yang Ching-Chung, Chiang Ping-Hung, Pu Shih-Chieh, Chang Kai-Kuen, Hsiao Shih-Yin, Liu Kuan-Liang, C.W. Lu, Wen-Fang Lee, Wang Chih-Chung, N.C. Lee, Chih-Chung Wang, Hsiung Chang-Po
Publikováno v:
2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD).
We report herein on the first commercial production of 32V high voltage Field-Drift MOSFET (FDMOS) embedded in HK/MG with RMG technology. To overcome the challenges encountered during the RMG process, a recessed structure with a specifically designed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::984b731307a94b8355ebba3d117cd6ef
https://doi.org/10.1109/ispsd.2018.8393709
https://doi.org/10.1109/ispsd.2018.8393709
Autor:
Chiang, Ping-Hung, 江炳宏
104
Recently, many scholars studied approximations of fuzzy numbers by specific fuzzy numbers under preservation of some operators. In fact, these approximations may not exist for some linear operators. In order to study necessary and sufficient
Recently, many scholars studied approximations of fuzzy numbers by specific fuzzy numbers under preservation of some operators. In fact, these approximations may not exist for some linear operators. In order to study necessary and sufficient
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/20829612085704349695
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.