Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Chew, Soon Aik"'
Autor:
Sendelbach, Matthew J., Schuch, Nivea G., Kasai, Hiroaki, Osaki, Mayuka, Hasumi, Kazuhisa, Mise, Nobuyuki, Tanaka, Maki, Altintas, Bensu Tunca, Chew, Soon Aik, Bogdanowicz, Janusz, Moussa, Alain, Saib, Mohamed, Zhang, Boyao, Charley, Anne-Laure
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; April 2024, Vol. 12955 Issue: 1 p129551N-129551N-9, 1165969p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Geert Hellings, G. Zschatzsch, Thomas Chiarella, Naoto Horiguchi, An De Keersgieter, Yuichiro Sasaki, Aaron Thean, M. Togo, Chew Soon Aik
Publikováno v:
2013 13th International Workshop on Junction Technology (IWJT).
Extension doping for FinFETs is more difficult compared with planar devices due to fin geometry. An amorphization problem for NMOS FinFETs and photo resist shadowing for CMOS FinFETs are pointed out when standard ion implantation (I/I) is used. Amorp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c8366b3262ba2cf81be7d72e20575ffc
https://doi.org/10.1109/iwjt.2013.6644496
https://doi.org/10.1109/iwjt.2013.6644496
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics.
The objective of this work is to study the effect of pMOSFETs lightly doped drain (p+LDD) using two different species of dopants; boron and boron di-flouride using TCAD Simulation. The result from this simulation was compared with electrical measurem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd35433b9792857f14952c3f43b360ef
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.381111
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.381111
Publikováno v:
2006 Thirty-First IEEE/CPMT International Electronics Manufacturing Technology Symposium.
In this paper we investigate the mechanism of local mechanical stress reduction in CMOS transistors by improving the Inter Layer Dielectric (ILD) process. We changed the Etch Stop Liner (ESL) from single stack silicon nitride (SiN) to dual stack ESL
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::13bc6027c4d40dd8e966a2e2efc2f290
https://doi.org/10.1109/iemt.2006.4456487
https://doi.org/10.1109/iemt.2006.4456487
Autor:
Yu, Hao, De Meyer, Kristin, Schaekers, Marc, Peter, Anthony, Pourtois, Geoffrey, Rosseel, Erik, Everaert, Jean-Luc, Chew, Soon Aik, Demuynck, Steven, Barla, Kathy, Mocuta, Anda, Horiguchi, Naoto, Thean, Aaron Voon-Yew, Collaert, Nadine, Lee, Joon-Gon, Song, Woo-Bin, Shin, Keo Myoung, Kim, Daeyong
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2016, Vol. 63 Issue 12, p4632-4641, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.