Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"Chetlur S"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Canadian Journal of Physics. 70:1035-1038
In this paper we demonstrate for the first time that self-aligned metal insulator semiconductor field effect transistors (MISFETs) can be realized on InP by incorporating an effective surface passivation technique in the fabrication process. A chemic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2375c021dfe46dd50e09876cc12909dc
https://doi.org/10.1139/p92-166
https://doi.org/10.1139/p92-166
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Tungsten plug technology has been used extensively for multilevel interconnect in sub-half-micron semiconductor processes. The major issue encountered in tungsten plug integration is contact resistance especially to the p+ Si area and via resistance.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1e196e7bf833902a103a29ee7bd51988
https://doi.org/10.1117/12.250886
https://doi.org/10.1117/12.250886
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2001. 2nd International Symposium on Quality Electronic Design; 2001, p284-289, 6p
Publikováno v:
ICMTS 2000. Proceedings of the 2000 International Conference on Microelectronic Test Structures (Cat. No.00CH37095); 2000, p163-166, 4p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the 1999 7th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (Cat No99TH8394); 1999, p21-24, 4p
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999 Technical Digest (Cat No99CH36318); 1999, p85-88, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1996, Issue 1, p370-380, 11p