Zobrazeno 1 - 10
of 78
pro vyhledávání: '"Cheng-Tse Chou"'
Autor:
Cheng, Tse-Chou, Hsu, Yu-Wen, Lu, Fung-Jou, Chen, Ya-Yu, Tsai, Nu-Man, Chen, Wen-Kang, Tsai, Chia-Fang
Publikováno v:
In Journal of the Chinese Medical Association February 2018 81(2):119-126
Autor:
Erh-Chen Lin, Yu-Ting Lin, Cheng-Tse Chou, Chun-An Chen, Yun-Jei Wu, Po-Han Chen, Shang-Fan Lee, Chia-Seng Chang, Yung-Fu Chen, Yi-Hsien Lee
Publikováno v:
ACS Applied Electronic Materials. 4:4540-4546
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ff45d0ecdbc22263e4f60c55be2a2c73
https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c00763
https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c00763
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vinod M. Menon, Christopher R. Considine, Evgenii E. Narimanov, Yi-Hsien Lee, Zheng Sun, Tal Galfsky, Wei-Chun Ko, Cheng-Tse Chou
Publikováno v:
Nano Letters. 16:4940-4945
The low quantum yield observed in two-dimensional semiconductors of transition metal dichalcogenides (TMDs) has motivated the quest for approaches that can enhance the light emission from these systems. Here, we demonstrate broadband enhancement of s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8fe414b7adb815ce4f384cb13b705f92
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b01558
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b01558
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Meng-Chyi Wu, Chang-Ning Liao, Meng-Hsi Chuang, Jia-Min Shieh, Yi-Hsien Lee, Chih-Chao Yang, Yu-Hsiu Chen, Wen-Hsien Huang, Kuan-Chang Chiu, Cheng-Tse Chou, Tung-Ying Hsieh, Chang-Hong Shen, Wen-Kuan Yeh
Publikováno v:
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology.
A monolithic 3D image sensor is demonstrated by sequentially fabricating large-area (>2cm×2cm) monolayer ( 20A/W). The bottom 3D stackable poly-Si nanowire FET, fabricated by low thermal budget process (T sub 200uA/um). The low driving voltage 6T SR
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::684eaa98e551704ca2143a6f90df7913
https://doi.org/10.1109/vlsit.2016.7573448
https://doi.org/10.1109/vlsit.2016.7573448
Autor:
Yi-Hsien Lee, Chun Hung Lui, Tim Kidd, Rui He, Chao Ji, Casie Means-Shively, Kuan Chang Chiu, Trond Andersen, Zhipeng Ye, Jenn-Ming Wu, Heidi Anderson, Cheng-Tse Chou
We have investigated the vibrational properties of van der Waals heterostructures of monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs), specifically $\mathrm{Mo}{\mathrm{S}}_{2}/\mathrm{WS}{\mathrm{e}}_{2}$ and $\mathrm{MoS}{\mathrm{e}}_{2}/\mathrm{M
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5db1bdf92c1f10d38015add1246961f7
http://arxiv.org/abs/1410.4224
http://arxiv.org/abs/1410.4224
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Ultrasound in Medicine & Biology 2017 43 Supplement 1:S214-S214