Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Cheng-Eng Chen"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 34:1692-1697
Total dose characteristics of the buried insulator in implanted silicon-on-insulator (SOI) substrates have been studied using MOS transistors. The threshold voltage shift of the parasitic back channel transistor, which is controlled by charge trappin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2764858e6478ed35181eabf1396eb3d
https://doi.org/10.1109/tns.1987.4337538
https://doi.org/10.1109/tns.1987.4337538
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 8:306-308
The effects of post-oxygen-implant annealing temperature on the characteristics of MOSFET's in oxygen-implanted silicon-on-insulator (SOI) substrates are studied. The results show significant improvements in the electron and hole mobilities near the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b9d7a44c5c7c11bb336980df2b3423d6
https://doi.org/10.1109/edl.1987.26640
https://doi.org/10.1109/edl.1987.26640
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; 1987, Vol. 8 Issue 7, p306-308, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.