Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"Cheng Wanxi"'
Autor:
Liang Huinan, Huolin Huang, Nan Sun, Gao Jun, Pengcheng Tao, Ren Yongshuo, Wang Ronghua, Zhonghao Sun, Shaoquan Li, Hongzhou Wang, Cheng Wanxi, Song Shukuan
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 41:135-138
Enhancement-mode (E-mode) GaN-based MIS-HEMTs still suffer from undeniable gate leakage or low gate breakdown voltage due to the low quality of gate dielectrics, resulting in a notorious tailing effect of the off-state current. In this letter, a gate
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sun, Nan, Huang, Huolin, Sun, Zhonghao, Wang, Ronghua, Li, Shuxing, Tao, Pengcheng, Ren, Yongshuo, Song, Shukuan, Wang, Hongzhou, Li, Shaoquan, Cheng, Wanxi, Liang, Huinan
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Jan2022, Vol. 69 Issue 1, p82-87, 6p
Autor:
Fubin Zhou, Huolin Huang, Zhuang Liang, Ren Yongshuo, Liang Huinan, Wang Ronghua, Cheng Wanxi, Feiyu Li, Guangshan Ren
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 54:265106
Buffer related electron trapping and hot electron injection are responsible for R on degradation in devices, but the effects of substrate termination are still uncertain. In this work, both positive and negative substrate bias are applied to investig
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Li, Feiyu, Wang, Ronghua, Huang, Huolin, Ren, Yongshuo, Ren, Guangshan, Liang, Zhuang, Zhou, Fubin, Cheng, Wanxi, Liang, Huinan
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics; Jul2021, Vol. 54 Issue 26, p1-6, 6p
Autor:
Liang Huinan, Cheng Wanxi, Feiyu Li, Gao Jun, Pengcheng Tao, Yanhong Liu, Zhonghao Sun, Nan Sun, Hongzhou Wang, Wang Ronghua, Shaoquan Li, Ren Yongshuo, Song Shukuan, Huolin Huang
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 54:025109
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.