Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"Cheng, Wen‐hao"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
CHENG, WEN-HAO, 鄭文豪
106
With the rapid development of semiconductor manufacturing technology, the required frequencies of electronic devices has been developed for higher frequencies and higher transmission rates. With the switching time getting shorter, the speed
With the rapid development of semiconductor manufacturing technology, the required frequencies of electronic devices has been developed for higher frequencies and higher transmission rates. With the switching time getting shorter, the speed
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/fee7k7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cheng, Wen-Hao
In this thesis, a data collection application based on MapReduce programming is described. This application aims to collect tempera- ture data stream continuously from a specied set of sensors. Instead of collecting the temperature information of all
Autor:
Cheng, Wen-Hao, 鄭文豪
99
Consider a system of two queues in parallel, one of which is M/M/1 single-server infinite capacity queue, andthe other M/M^(N)/K batch service queue,where batch size 2
Consider a system of two queues in parallel, one of which is M/M/1 single-server infinite capacity queue, andthe other M/M^(N)/K batch service queue,where batch size 2
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/96137557992985775920
Autor:
Cheng, Wen-Hao, 鄭文豪
99
As generally recognized, built-in electric field will emerge along the polar c-axis of GaN epitaxial layers when growing the GaN base LEDs on a-、c-plane sapphire substrates. This may cause distortions of energy band gap, thereby decreases t
As generally recognized, built-in electric field will emerge along the polar c-axis of GaN epitaxial layers when growing the GaN base LEDs on a-、c-plane sapphire substrates. This may cause distortions of energy band gap, thereby decreases t
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/81317639689335708861
Autor:
Ji, Chao‐chao, Mou, Yue, Lv, Yin, Li, Yue‐lin, Wang, Fan‐xiang, Liu, Jia‐qi, Cheng, Wen‐hao, Chen, Ren‐qiong, Hu, Wen‐long
Publikováno v:
Journal der Deutschen Dermatologischen Gesellschaft; Nov2024, Vol. 22 Issue 11, p1543-1545, 3p
Autor:
Liu, Zhi-Yu a, Liu, Ruo-Tong a, Cheng, Wen-Hao a, Zhang, Bo-Yu a, Zhang, Xing-Yu a, Zhou, Ying a, Ye, Xiao-Qing a, Zhou, Chun-Yun a, Wang, Xiu-Jun a, ⁎, Sun, Qian c, ⁎, Ji, Jing a, b, ⁎
Publikováno v:
In Bioorganic & Medicinal Chemistry Letters 1 March 2025 117
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.