Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"Cheng, Tin S."'
Autor:
Román, Ricardo Javier Peña, Costa, Fábio J R Costa, Zobelli, Alberto, Elias, Christine, Valvin, Pierre, Cassabois, Guillaume, Gil, Bernard, Summerfield, Alex, Cheng, Tin S, Mellor, Christopher J, Beton, Peter H, Novikov, Sergei V, Zagonel, Luiz F
Publikováno v:
2D Material 8 044001 (2021)
Being a flexible wide band gap semiconductor, hexagonal boron nitride (h-BN) has great potential for technological applications like efficient deep ultraviolet light sources, building block for two-dimensional heterostructures and room temperature si
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.07950
Autor:
Mendelson, Noah, Chugh, Dipankar, Reimers, Jeffrey R., Cheng, Tin S., Gottscholl, Andreas, Long, Hu, Mellor, Christopher J., Zettl, Alex, Dyakonov, Vladimir, Beton, Peter H., Novikov, Sergei V., Jagadish, Chennupati, Tan, Hark Hoe, Ford, Michael J., Toth, Milos, Bradac, Carlo, Aharonovich, Igor
Single photon emitters (SPEs) in hexagonal boron nitride (hBN) have garnered significant attention over the last few years due to their superior optical properties. However, despite the vast range of experimental results and theoretical calculations,
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.00949
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shiffa, Mustaqeem, Dewes, Benjamin T., Bradford, Jonathan, Cottam, Nathan D., Cheng, Tin S., Mellor, Christopher J., Makarovskiy, Oleg, Rahman, Kazi, O'Shea, James N., Beton, Peter H., Novikov, Sergei V., Ben, Teresa, Gonzalez, David, Xie, Jiahao, Zhang, Lijun, Patanè, Amalia
Publikováno v:
Small; 2/15/2024, Vol. 20 Issue 7, p1-8, 8p
Autor:
Zobelli, Alberto, Elias, Christine, Valvin, Pierre, Cassabois, Guillaume, GIL, BERNARD, Summer?eld, Alex, Cheng, Tin S, Mellor, Chris J, Beton, Peter H, Novikov, Sergei V, Zagonel, Luiz Fernando
Being a flexible wide band gap semiconductor, hexagonal boron nitride (h-BN) has great potential for technological applications like efficient deep ultraviolet light sources, building block for two-dimensional heterostructures and room temperature si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::40e1e4f0dfb104f4d8868f729dea1116
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.