Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Cheng, Shengliang"'
Autor:
Cheng, Shengliang, Fan, Zhen, Rao, Jingjing, Hong, Lanqing, Huang, Qicheng, Tao, Ruiqiang, Hou, Zhipeng, Qin, Minghui, Zeng, Min, Lu, Xubing, Zhou, Guofu, Yuan, Guoliang, Gao, Xingsen, Liu, Jun-Ming
Publikováno v:
In iScience 18 December 2020 23(12)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, Zimin, Lu, Xing, Tu, Yujia, Chen, Weiqu, Zhang, Zhipeng, Cheng, Shengliang, Chen, Shujian, Luo, Hongtai, He, Zhiyuan, Pei, Yanli, Wang, Gang
Publikováno v:
Advanced Science; 11/14/2022, Vol. 9 Issue 32, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cheng, Shengliang, Fan, Zhen, Zhao, Lei, Guo, Haizhong, Zheng, Dongfeng, Chen, Zoufei, Guo, Min, Jiang, Yue, Wu, Sujuan, Zhang, Zhang, Gao, Jinwei, Lu, Xubing, Zhou, Guofu, Gao, Xingsen, Liu, Jun-Ming
Publikováno v:
Journal of Materials Chemistry C; 10/28/2019, Vol. 7 Issue 40, p12482-12490, 9p
Autor:
Chen Z; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China.; State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, HEMC, Guangzhou, 510006, China., Lu X; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China.; State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, HEMC, Guangzhou, 510006, China., Tu Y; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China., Chen W; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China., Zhang Z; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China., Cheng S; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China., Chen S; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China., Luo H; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China., He Z; Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, No.5 Electronics Research Institute of the Ministry of Industry and Information Technology, Guangzhou, 510610, China., Pei Y; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China.; State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, HEMC, Guangzhou, 510006, China., Wang G; School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China.; State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, HEMC, Guangzhou, 510006, China.; Foshan Institute of Sun Yat-Sen University, Foshan, 528225, China.
Publikováno v:
Advanced science (Weinheim, Baden-Wurttemberg, Germany) [Adv Sci (Weinh)] 2022 Nov; Vol. 9 (32), pp. e2203927. Date of Electronic Publication: 2022 Sep 25.