Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Chen Peng-Shiu"'
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 2005 8(1):347-351
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1999 353(1):274-282
Autor:
Chen, Peng-Shiu, Hseieh, T.E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/15/1999, Vol. 86 Issue 10, p5399, 8p, 6 Black and White Photographs, 1 Chart, 5 Graphs
Autor:
Chen, Peng-Shiu, Hsieh, T.E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/15/1999, Vol. 85 Issue 6, p3114, 6p, 10 Black and White Photographs, 1 Chart
Autor:
Y.T. Tseng, Chen Peng-Shiu, Y.-M. Hsu, C.S. Liang, Ming-Jinn Tsai, S.C. Lu, Zingway Pei, Chee-Wee Liu, Li-Shyue Lai
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 24:643-645
A novel phototransistor is fabricated by placing Si/sub 0.5/Ge/sub 0.5//Si multiple quantum wells (MQWs) between the base and the collector of Si-SiGe heterojunction bipolar transistors (HPT). The SiGe-Si MQWs are used as a light absorption layer. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a05b6b13326accbf39ac8db1ea627634
https://doi.org/10.1109/led.2003.817870
https://doi.org/10.1109/led.2003.817870
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.