Zobrazeno 1 - 10
of 143
pro vyhledávání: '"Chen Houpeng"'
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 September 2024 292
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Shanghai Jiaotong Daxue xuebao, Vol 56, Iss 12, Pp 1649-1657 (2022)
The 1S1R storage unit of 3D phase-change memory is composed of ovonic threshold switch selector (OTS) in series with the phase change memory (PCM) device. In order to solve the problems of the current OTS and PCM circuit simulation models, such as no
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ecfb37a4337b40e5841944bba145ebfe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3-D cross point phase change memory (PCM) is a promising emerging memory. However, dynamic performances of 3-D cross point PCM are limited and the role of bias scheme is unknown. Previous studies on bias schemes for planar memories use static analyse
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1811.04684
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Circuit Theory & Applications; Aug2024, Vol. 52 Issue 8, p4199-4204, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.