Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Chen, Gaopeng"'
Publikováno v:
In Acta Psychologica June 2024 246
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wang, Jiaxian, Chen, Aaron, Lieu, Deborah K., Karakikes, Ioannis, Chen, Gaopeng, Keung, Wendy, Chan, Camie W., Hajjar, Roger J., Costa, Kevin D., Khine, Michelle, Li, Ronald A.
Publikováno v:
In Biomaterials November 2013 34(35):8878-8886
Publikováno v:
2019 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC).
A MMIC low noise amplifier for S-band application with ultra-low noise figure is proposed in this paper. Low noise amplifier is one of the most important components for a receiver in the wireless communication system. Adding the improved capacitance
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 32:065005
The importance of high-performance, low-cost and millimeter-wave transmitters for digital communications and radar applications is increasing. The design and performance of a Ka-band balanced in-phase and quadrature-phase (I-Q) type vector modulator,
Autor:
Su Yongbo, Xu Anhuai, Jin Zhi, Wang Xiantai, Cheng Wei, Ge Ji, Liu Xinyu, Qi Ming, Chen Gaopeng
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 32:035008
Static frequency dividers are widely used as a circuit performance benchmark or figure-of-merit indicator to gauge a particular device technology's ability to implement high speed digital and integrated high performance mixed-signal circuits. We repo
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 31:065002
This paper presents a 10-GHz 8-bit direct digital synthesizer (DDS) microwave monolithic integrated circuit implemented in 1 ?m GaAs HBT technology. The DDS takes a double-edge-trigger (DET) 8-stage pipeline accumulator with sine-weighted DAC-based R
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 26:077302
We develop a physics-based charge-control InP double heterojunction bipolar transistor model including three important effects: current blocking, mobile-charge modulation of the base-collector capacitance and velocity-field modulation in the transit