Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Chen, Fanqiang"'
Autor:
Chen, Moyu, Xie, Yongqin, Cheng, Bin, Yang, Zaizheng, Li, Xin-Zhi, Chen, Fanqiang, Li, Qiao, Xie, Jiao, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, He, Wen-Yu, Wu, Menghao, Liang, Shi-Jun, Miao, Feng
Publikováno v:
Nature Nanotechnolgy (2024)
Topologically protected edge state transport in quantum materials is dissipationless and features quantized Hall conductance, and shows great potential in highly fault-tolerant computing technologies. However, it remains elusive about how to develop
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.17010
Autor:
Xiao, Hanbo, Gao, Han, Li, Min, Chen, Fanqiang, Li, Qiao, Li, Yiwei, Wang, Meixiao, Zhu, Fangyuan, Yang, Lexian, Miao, Feng, Chen, Yulin, Chen, Cheng, Cheng, Bin, Liu, Jianpeng, Liu, Zhongkai
Over the years, great efforts have been devoted in introducing a sizable and tunable band gap in graphene for its potential application in next-generation electronic devices. The primary challenge in modulating this gap has been the absence of a dire
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.11893
Autor:
Li, Qiao, Cheng, Bin, Chen, Moyu, Xie, Bo, Xie, Yongqin, Wang, Pengfei, Chen, Fanqiang, Liu, Zenglin, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Liang, Shi-Jun, Wang, Da, Wang, Chenjie, Wang, Qiang-Hua, Liu, Jianpeng, Miao, Feng
Publikováno v:
Nature (2022)
Studying strong electron correlations has been an essential driving force for pushing the frontiers of condensed matter physics. In particular, in the vicinity of correlation-driven quantum phase transitions (QPTs), quantum critical fluctuations of m
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.07344
Autor:
Li, Yiwei, Zhang, Shihao, Chen, Fanqiang, Wei, Liyang, Zhang, Zonglin, Xiao, Hanbo, Gao, Han, Chen, Moyu, Liang, Shijun, Pei, Ding, Xu, Lixuan, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Yang, Lexian, Miao, Feng, Liu, Jianpeng, Cheng, Bin, Wang, Meixiao, Chen, Yulin, Liu, Zhongkai
Moir\'e superlattices that consist of two or more layers of two-dimensional materials stacked together with a small twist angle have emerged as a tunable platform to realize various correlated and topological phases, such as Mott insulators, unconven
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.02199
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors; 1/1/2023, Vol. 44 Issue 1, p1-5, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, Fanqiang (AUTHOR), Li, Cunhe1 (AUTHOR) licunhe@sdut.edu.cn, Li, Zeyang (AUTHOR), Du, Qinjun (AUTHOR), Yin, Wenliang (AUTHOR)
Publikováno v:
Electrical Engineering. May2024, p1-12.