Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"Chelnokov, Alexei"'
Autor:
Pilon, Francesco Armand, Niquet, Yann-Michel, Chretien, Jeremie, Pauc, Nicolas, Reboud, Vincent, Calvo, Vincent, Widiez, Julie, Hartmann, Jean Michel, Chelnokov, Alexei, Faist, Jerome, Sigg, Hans
Publikováno v:
Physical Review Research 4, 033050 (2022)
Efficient and cost-effective Si-compatible lasers are a long standing wish of the optoelectronic industry. In principle, there are two options. For many applications, lasers based on III-V compounds provide compelling solutions, even if the integrati
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2201.11856
Autor:
Moutanabbir, Oussama, Assali, Simone, Gong, Xiao, O'Reilly, Eoin, Broderick, Chris, Marzban, Bahareh, Witzens, Jeremy, Du, Wei, Yu, Shui-Qing, Chelnokov, Alexei, Buca, Dan, Nam, Donguk
(Si)GeSn semiconductors are finally coming of age after a long gestation period. The demonstration of device quality epi-layers and quantum-engineered heterostructures has meant that tunable all-group IV Si-integrated infrared photonics is now a real
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2101.03245
Autor:
Elbaz, Anas, Arefin, Riazul, Sakat, Emilie, Wang, Binbin, Herth, Etienne, Patriarche, Gilles, Foti, Antonino, Ossikovski, Razvigor, Sauvage, Sebastien, Checoury, Xavier, Pantzas, Konstantinos, Sagnes, Isabelle, Chrétien, Jérémie, Casiez, Lara, Bertrand, Mathieu, Calvo, Vincent, Pauc, Nicolas, Chelnokov, Alexei, Boucaud, Philippe, Boeuf, Frederic, Reboud, Vincent, Hartmann, Jean-Michel, Kurdi, Moustafa El
Publikováno v:
ACS Photonics 2020, 7, 10, 2713-2722
GeSn alloys are nowadays considered as the most promising materials to build Group IV laser sources on silicon (Si) in a full complementary metal oxide semiconductor-compatible approach. Recent GeSn laser developments rely on increasing the band stru
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.11262
Autor:
Gassenq, Alban, Guilloy, Kevin, Pauc, Nicolas, Rouchon, Denis, Widiez, Julie, Rothman, Johan, Hartmann, Jean-Michel, Chelnokov, Alexei, Reboud, Vincent, Calvo, Vincent
Adding sufficient tensile strain to Ge can turn the material to a direct bandgap group IV semiconductor emitting in the mid-infrared wavelength range. However, highly strained-Ge cannot be directly grown on Si due to its large lattice mismatch. In th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.06832
Autor:
Tardif, Samuel, Gassenq, Alban, Guilloy, Kevin, Pauc, Nicolas, Dias, Guilherme Osvaldo, Hartmann, Jean-Michel, Widiez, Julie, Zabel, Thomas, Marin, Esteban, Sigg, Hans, Faist, Jérôme, Chelnokov, Alexei, Reboud, Vincent, Calvo, Vincent, Micha, Jean-Sébastien, Robach, Odile, Rieutord, François
Micro-Laue diffraction and simultaneous rainbow-filtered micro-diffraction were used to measure accurately the full strain tensor and the lattice orientation distribution at the sub-micron scale in highly strained, suspended Ge micro-devices. A numer
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1603.06370
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
El Kurdi, Moustafa, Sakat, Emilie, Hartmann, Jean-Michel, Reboud, Vincent, Chelnokov, Alexei, Pauc, Nicolas, Calvo, Vincent, Boucaud, Philippe, Bœuf, Fréderic, El Kurdi, Moustafa, Sakat, Emilie, Hartmann, Jean-Michel, Reboud, Vincent, Chelnokov, Alexei, Pauc, Nicolas, Calvo, Vincent, Boucaud, Philippe, Bœuf, Fréderic
Publikováno v:
Photoniques; July 2021, Vol. 2021 Issue: 109 p40-43, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.