Zobrazeno 1 - 10
of 295
pro vyhledávání: '"Checoury X"'
Autor:
Elbaz, A., Buca, D., Driesch, N. Von den, Pantzas, K., Patriarche, G., Zerounian, N., Herth, E., Checoury, X., Sauvage, S., Sagnes, I., Foti, A., Ossikovski, R., Hartmann, J. -M., Boeuf, F., Ikonic, Z., Boucaud, P., Grutzmacher, D., Kurdi, M. El
GeSn alloys are the most promising semiconductors for light emitters entirely based on group IV elements. Alloys containing more than 8 at.% Sn have fundamental direct band-gaps, similar to conventional III-V semiconductors and thus can be employed f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.04927
Autor:
Mexis, Meletios, Sergent, Sylvain, Guillet, Thierry, Brimont, Christelle, Bretagnon, Thierry, Gil, Bernard, Semond, Fabrice, Leroux, Mathieu, Néel, Delphine, David, Sylvain, Checoury, X., Boucaud, Philippe
Publikováno v:
Optics Letters 36, 12 (2011) 2203
We compare the quality factor values of the whispery gallery modes of microdisks incorporating GaN quantum dots (QDs) grown on AlN and AlGaN barriers by performing room temperature photoluminescence (PL) spectroscopy. The PL measurements show a large
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1101.2078
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Boucaud, P., El Kurdi, M., David, S., Checoury, X., Li, X., Ngo, T.-P., Sauvage, S., Bouchier, D., Fishman, G., Kermarrec, O., Campidelli, Y., Bensahel, D., Akatsu, T., Richtarch, C., Ghyselen, B.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2008 517(1):121-124
Autor:
Li, X., Boucaud, P., Checoury, X., El Kurdi, M., David, S., Sauvage, S., Yam, N., Fossard, F., Bouchier, D., Fédéli, J.M., Calvo, V., Hadji, E., Salomon, A.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence 2006 121(2):286-289
Autor:
Boucaud, P., Li, X., Kurdi, M. El, David, S., Checoury, X., Sauvage, S., Kammerer, C., Cabaret, S., Thanh, V. Le, Bouchier, D., Lourtioz, J.-M., Kermarrec, O., Campidelli, Y., Bensahel, D.
Publikováno v:
In Optical Materials 2005 27(5):792-798
Autor:
BRIMONT, Christelle, DOYENNETTE, Laetitia, Tabataba-vakili, Farsane, Roland, I., El Kurdi, M., Checoury, X., Sauvage, S., Paulillo, B, Colombelli, R, RENNESSON, S., Frayssinet, Eric, Brault, Julien, Damilano, B., Duboz, J. y., Semond, F., Gayral, B., Boucaud, P., GUILLET, Thierry
Publikováno v:
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), Nov 2018, Kanazawa, Japan
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), Nov 2018, Kanazawa, Japan
International audience; The integration of nitride semiconductors on a silicon platform is a very promising field for nanophotonic applications in the UV-blue spectral range. Efficient sources are a main topic that can be achieved by compact microlas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a401cef0115cc15e43209f88a4921f80
https://hal.science/hal-01952415
https://hal.science/hal-01952415
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.