Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Atomic core structures associated to the threading dislocation with $\langle1\bar 100\rangle$ Burgers vector and [0001] line direction in GaN

Autor: Béré, Antoine, Ruterana, Pierre, Chauvat, Marie-Pierre, Koulidiati, Jean

Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics
Japanese Journal of Applied Physics, 2013, 52, pp.11NG06. ⟨10.7567/JJAP.52.11NG06⟩

International audience; The $\langle1\bar 100\rangle$ edge dislocation in GaN has been investigated by means of atomistic computer simulation. It's core structure exhibits three configurations that are related to the location of the origin of displac

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::e4391557b75598ba61819676c912b049
https://insu.hal.science/insu-03611657

Investigation of InN layers grown by molecular beam epitaxy on GaN templates

Autor: Vilalta-Clemente, Arantxa, Mutta, G. R., Chauvat, Marie-Pierre, Morales, Magali, Doualan, Jean-Louis, Ruterana, Pierre, Grandal, J., Sanchez-Garcia, M.A., Calle, F., Valcheva, E., Kirilov, K.

Publikováno v: physica status solidi (a)
physica status solidi (a), Wiley, 2010, 207 (5), pp.1079-1082
physica status solidi (a), 2010, 207 (5), pp.1079-1082

International audience; An investigation of InN layers grown on GaN templates by molecular beam epitaxy (MBE) has been carried out by X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy (RS) and photoluminescence (PL). A good correlation is noticed between t

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2f30bcc6fd7b84cd89dbba85beb12c38
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00483614