Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Chauhan, Jyotsna"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chauhan, Jyotsna, Guo, Jing
Inelastic phonon scattering in graphene field-effect transistors (FETs) is studied by numerically solving the Boltzmann transport equation in three dimensional real and phase spaces (x, kx, ky). A kink behavior due to ambipolar transport agreeing wit
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1104.1220
Autor:
Chauhan, Jyotsna, Guo, Jing
High frequency performance limits of graphene field-effect transistors (FETs) down to a channel length of 20nm are examined by using self-consistent quantum simulations. The results indicate that although Klein band-to-band tunneling is significant f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1102.1457
Publikováno v:
Nano Lett., 2009, 9 (2), pp 684\^a?"688
Tunneling field-effect transistors (FETs) have been intensely explored recently due to its potential to address power concerns in nanoelectronics. The recently discovered graphene nanoribbon (GNR) is ideal for tunneling FETs due to its symmetric band
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0902.4617
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (B); Oct2023, Vol. 260 Issue 10, p1-9, 9p
Publikováno v:
Current Physical Chemistry; 2024, Vol. 14 Issue: 3 p216-231, 16p
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Nov2012, Vol. 112 Issue 10, p104502, 7p, 4 Color Photographs, 3 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.