Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"Chaudhry, Amit"'
Autor:
Chaudhry, Amit, Sangwan, Sonu
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2013 79:133-137
Autor:
Chaudhry Amit, Jatindra Nath Roy
Publikováno v:
Serbian Journal of Electrical Engineering, Vol 8, Iss 2, Pp 147-154 (2011)
An analytical model for the inversion layer quantization for nanoscale - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) with different crystallographic substrate orientations, such as (100), (110) and (111) has been developed. The thresho
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/98d5720f474e4e05a6cc86922721d7f7
Autor:
Chaudhry Amit, Roy Nath Jatinder
Publikováno v:
Serbian Journal of Electrical Engineering, Vol 7, Iss 2, Pp 185-193 (2010)
In this paper, an analytical model has been developed to study inversion layer quantization in nanoscale Metal Oxide Semiconductor Field Effect Oxide p-(MOSFET). n-MOSFETs have been studied using the variation approach and the p-MOSFETs have been stu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6705fb0d9d6a4deeafb58b60f56b3608
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
An analytical model describing the threshold voltage and drain current in strained-Si p-MOSFETs as a function of applied uniaxial strain applied at the gate has been developed in this paper. The uniaxial stress has been applied through the silicon ni
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::d5612857198ba83fdf34ce5ff8961651
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23714
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23714
Publikováno v:
Elektrotehniški vestnik
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3825::2144330956c825dae85da95817f2b02e
http://www.dlib.si/details/URN:NBN:SI:doc-IX5HYTZR
http://www.dlib.si/details/URN:NBN:SI:doc-IX5HYTZR
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chaudhry, Amit
Publikováno v:
Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors; 2013, p177-201, 25p