Zobrazeno 1 - 10
of 216
pro vyhledávání: '"Charge-imbalance"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Akshay, Shreepad Karmalkar
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 1129-1137 (2020)
We discuss details of the Charge Sheet SuperJunction (CSSJ) in 4H-Silicon Carbide (SiC). This device was earlier proposed in Si material. A CSSJ is obtained by replacing the p-pillar of a SJ by a bilayer insulator, e.g., Al2O3/SiO2; the inter-layer i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c4702b72f6bf4218831bfdb98c9f79d0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Journal of Engineering (2019)
Multi-battery energy storage systems (MBESSs) are widely adopted to overcome the uncertainty problem of renewable energy sources. However, state-of-charge (SOC) imbalance issue of MBESSs brings great challenges to the optimal dispatching strategy and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/23ed57404d794e88873030652ea32ce9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shreepad Karmalkar, K. Akshay
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 1129-1137 (2020)
We discuss details of the Charge Sheet SuperJunction (CSSJ) in 4H-Silicon Carbide (SiC). This device was earlier proposed in Si material. A CSSJ is obtained by replacing the p-pillar of a SJ by a bilayer insulator, e.g., Al2O3/SiO2; the inter-layer i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d59cb8a363e4c50cdd1cf74d6ade7e7c
https://ieeexplore.ieee.org/document/9186681/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9186681/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.