Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"Charge-based model"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Circuits and Systems, Vol 3, Pp 162-167 (2022)
This paper presents the open-source Python-based parameter extractor (SEKV-E) for the simplified EKV (sEKV) model, which enables the modern low-power circuit designs with the inversion coefficient design methodology. The tool extracts the essential s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16904d3e89844143a852305da5f51eb6
Autor:
Jakob Leise, Jakob Pruefer, Ghader Darbandy, Masoud Seifaei, Yiannos Manoli, Hagen Klauk, Ute Zschieschang, Benjamin Iniguez, Alexander Kloes
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 396-406 (2020)
This journal paper introduces a charge-based approach for the calculation of charges and capacitances in staggered organic thin-film transistors (OTFTs). Based on an already existing DC model, the charges are yielded in an analytical and compact form
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9db9364071da489da8fc8cec54332ac2
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 939-947 (2020)
In this article, an analytical predictive model of the negative capacitance (NC) effect in symmetric long channel double-gate junctionless transistor is proposed based on a charge-based model. In particular, we have investigated the effect of the thi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0f186ab3bca24a45b95525843b03c5a4
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1191-1199 (2019)
The double-gate (DG) junction field-effect transistor (JFET) is a classical electron device, with a simple structure that presents many advantages in terms of device fabrication but also its principle of operation. The device has been largely used in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e177792ee1594ca8a8d7bca5fb1dead2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Masoud Seifaei, Alexander Kloes, Ghader Darbandy, Hagen Klauk, Jakob Leise, Benjamin Iniguez, Ute Zschieschang, Jakob Pruefer, Yiannos Manoli
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 396-406 (2020)
This journal paper introduces a charge-based approach for the calculation of charges and capacitances in staggered organic thin-film transistors (OTFTs). Based on an already existing DC model, the charges are yielded in an analytical and compact form
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9e32442cf2493ae123f813f2f627c8b3
https://ieeexplore.ieee.org/document/9024051/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9024051/
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 939-947 (2020)
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 939-947 (2020)
In this article, an analytical predictive model of the negative capacitance (NC) effect in symmetric long channel double-gate junctionless transistor is proposed based on a charge-based model. In particular, we have investigated the effect of the thi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9323ca0677911de004bbf891e2ea958c