Zobrazeno 1 - 10
of 344
pro vyhledávání: '"Charge retention"'
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 10, Iss 31, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract This paper demonstrates that air‐stable radicals enhance the stability of triboelectric charge on surfaces. While charge on surfaces is often undesirable (e.g., static discharge), improved charge retention can benefit specific applications
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2ac346fe7bf1497d9711640c15711e0e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Priscilla F. Pieters, Antoine Lainé, He Li, Yi-Hsien Lu, Yashpal Singh, Lin-Wang Wang, Yi Liu, Ting Xu, A. Paul Alivisatos, Miquel Salmeron
Publikováno v:
ACS nano, vol 16, iss 4
Nanoscale engineered materials such as nanocomposites can display or be designed to enhance their material properties through control of the internal interfaces. Here, we unveil the nanoscale origin and important characteristics of the enhanced diele
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::42d9c227217995101249b98681354d17
https://doi.org/10.1021/acsnano.2c01558
https://doi.org/10.1021/acsnano.2c01558
Publikováno v:
Materials Express. 11:1615-1618
This paper analyzes data retention characteristics to determine process effects on the trap energy distribution of silicon nitride in silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory devices. Nitride films were prepared by low-pressure chemic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51d08607efacf8cc094b8de2755b99f2
https://doi.org/10.1166/mex.2021.2067
https://doi.org/10.1166/mex.2021.2067
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.