Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"Channel materials"'
Publikováno v:
Bayero Journal of Pure and Applied Sciences; Vol. 13 No. 1 (2022): Special Conference Edition; 204-210
Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFET) are promising Nano-scaled devices for implementing high performance and low power circuits. As the conventional silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) approaches its scalin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=78975075580c::a5d99f2d4ae3ec5ed90962e950b723ea
https://www.ajol.info/index.php/bajopas/article/view/227653
https://www.ajol.info/index.php/bajopas/article/view/227653
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bayero Journal of Pure and Applied Sciences; Vol 11, No 1 (2018): Special Conference Edition; 55-63
Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is a semiconductor device used in many electronic devices for amplification and switching electrical signals. MOSFET downscaling has been the driving force towards the technological advanceme
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e4072d1335ee21ecc53a459427ac3c91
https://www.ajol.info/index.php/bajopas/article/view/182802
https://www.ajol.info/index.php/bajopas/article/view/182802
The exponential rise in the density of silicon CMOS transistors has now reached a limit and threatening to end the microelectronics revolution. To tackle this difficulty, group III–V compound semiconductors due to their outstanding electron transpo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3005155fda9e81c2830346269ffa9421
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Robert McCormack, Darragh Buckley, Colm O'Dwyer, David McNulty, Peter J. Parbrook, Vitaly Z. Zubialevich
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts. :1296-1296
Zinc oxide (ZnO) and its doped counterparts such as Al:ZnO are extensively investigated as indium-free alternatives for oxide electronics including solar cells, light emitting diodes and also display technologies. For the latter application, thin fil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8117f51a1bffa4c6fa0064f385596c9a
https://doi.org/10.1149/ma2017-01/27/1296
https://doi.org/10.1149/ma2017-01/27/1296
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alexander Zaslavsky, S. T. Picraux, Shadi A. Dayeh, C. Le Royer, Sorin Cristoloveanu, Son T. Le, Jing Wan, Daniel E. Perea
Publikováno v:
Future Trends in Microelectronics: Frontiers and Innovations
Serge Luryi,Jimmy Xu and Alex Zaslavsky. Future Trends in Microelectronics: Frontiers and Innovations, John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, NJ, USA, pp.81-92, 2013, 978-111-8442-16-6 (print)/978-1118678107(online). ⟨10.1002/9781118678107.ch5⟩
Serge Luryi,Jimmy Xu and Alex Zaslavsky. Future Trends in Microelectronics: Frontiers and Innovations, John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, NJ, USA, pp.81-92, 2013, 978-111-8442-16-6 (print)/978-1118678107(online). ⟨10.1002/9781118678107.ch5⟩
This chapter contains sections titled: Introduction Enhancement of TFET I ON using Si 1-x Ge x and Ge Channel Materials Bipolar-Enhanced TFET: BET-FET A Feedback-Based High-Current Sharp-Switching Device: Z 2 -FET Conclusions ]]>
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1fa1d4f813a0bad8f91f8ff7ddee8e59
https://doi.org/10.1002/9781118678107.ch5
https://doi.org/10.1002/9781118678107.ch5