Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Chang Kai-Kuen"'
Novel integration techniques of 'recessed' high voltage field-drift MOSFET with HK/MG RMG technology
Autor:
Yang Ching-Chung, Chiang Ping-Hung, Pu Shih-Chieh, Chang Kai-Kuen, Hsiao Shih-Yin, Liu Kuan-Liang, C.W. Lu, Wen-Fang Lee, Wang Chih-Chung, N.C. Lee, Chih-Chung Wang, Hsiung Chang-Po
Publikováno v:
2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD).
We report herein on the first commercial production of 32V high voltage Field-Drift MOSFET (FDMOS) embedded in HK/MG with RMG technology. To overcome the challenges encountered during the RMG process, a recessed structure with a specifically designed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::984b731307a94b8355ebba3d117cd6ef
https://doi.org/10.1109/ispsd.2018.8393709
https://doi.org/10.1109/ispsd.2018.8393709
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.