Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Chang Hu-Dong"'
Publikováno v:
Bangladesh Journal of Pharmacology, Vol 11, Iss 1 (2016)
The aim of the present study was to synthesize epoxide derivative of alloimperatorin and evaluating its antitumor and apoptotic effects in acute myeloid leukemia HL-60 cells. The cytotoxic effects were demonstrated by MTT assay. Fluorescence microsco
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1e3c456a74ee489fac37c59a398cb708
Autor:
Xin-Yu Chen, Ying Yang, Yan Wang, Yuanming Wu, Zhi-Hua Wang, Dong Wang, Chang-Hu Dong, Si-Yu Zhao
Publikováno v:
Mitochondrial DNA Part A. 27:2492-2495
Pearson syndrome (PS) is a rare, mitochondrial DNA (mtDNA) deletion disorder mainly affecting hematopoietic system and exocrine pancreas in early infancy, which is characterized by multi-organ involvement, variable manifestations and poor prognosis.
Publikováno v:
Advanced Materials Research. :568-572
Cytotoxic activity of Bufotalin was determined by MTT assay at various concentrations ranging from 0.002 to 0.008 μmol/ml on Hela cells. The Apoptosis and its mechanism induced by Bufotalin was also studied. The results showed Bufotalin displayed th
Autor:
Zhi-Hua Wang, Chang-Hu Dong, Si-Yu Zhao, Yuanming Wu, Dong Wang, Ying Yang, Xin-Yu Chen, Yan Wang
Publikováno v:
European Journal of Medical Genetics.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
He Zhiyi, Li Haiou, Chang Hu-Dong, Liu Honggang, Li Simin, Zhou Jiahui, Liu Guiming, Li Qi, Xu Wenjun
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 36:054004
The impact of various thicknesses of Al2O3 metal—insulator—metal (MIM) capacitors on direct current and radio frequency (RF) characteristics is investigated. For 20 nm Al2O3, the fabricated capacitor exhibits a high capacitance density of 3850 pF
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics B. 22:107302
To achieve a high-quality high-κ/Ge interfaces for high hole mobility Ge p-MOSFET applications, a simple chemical cleaning and surface passivation scheme is introduced, and Ge p-MOSFETs with effective channel hole mobility up to 665 cm2/Vs are demon
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 29:046802
The solid phase reactions of Ni with GaAs substrates are investigated. The experimental results reveal that the Ni-GaAs solid phase reaction forms a ternary phase of Ni2GaAs when annealing temperatures are in the range 250?300?C. As the annealing tem