Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Chang Hsu-Yu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Inanc Meric, Chang Hsu-Yu, Olac-Vaw Roman W, M. Chahal, K. W. Park, C.-H. Jan, S. Novak, N. L. Dias, P. Bai, S. Ramey, Nidhi Nidhi, Curtis Tsai, Chetan Prasad, Hafez Walid M, Ramaswamy Rahul
Publikováno v:
2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
The transistor reliability characterization of a 14nm System-on-Chip (SoC) node optimized for low power operation is described. In-depth assessments of reliability and performance for Core and I/O devices are performed on Logic and SoC nodes, and cle
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::239baa5f31ceaaa074c1c5b8511c55c9
https://doi.org/10.1109/irps.2016.7574536
https://doi.org/10.1109/irps.2016.7574536
Autor:
J. Lee, P. Bai, T. Leo, S. K.-Y. Shi, P. Vandervoorn, D. Ingerly, L. Rockford, Ramaswamy Rahul, Y.-W. Chen, Nidhi Nidhi, F. Al-Amoody, M. Jang, K. Byon, T. Rana, Curtis Tsai, A. Zainuddin, C. Quincy, Eric Karl, L. Yang, Hafez Walid M, Chetan Prasad, C. Petersburg, Olac-Vaw Roman W, K. Komeyli, A. Kumar, Chang Hsu-Yu, Anand Subramaniam, N. L. Dias, Tsung-Yuan Chang, H. Kilambi, K. Phoa, Pei-Chi Liu, Chen-Guan Lee, C.-H. Jan
Publikováno v:
VLSIC
A leading edge 14 nm SoC platform technology based upon the 2nd generation Tri-Gate transistor technology [5] has been optimized for density, low power and wide dynamic range. 70 nm gate pitch, 52 nm metal pitch and 0.0499 um2 HDC SRAM cells are the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3ad023e07edda7779db811903bcb46fb
https://doi.org/10.1109/vlsic.2015.7231380
https://doi.org/10.1109/vlsic.2015.7231380
Autor:
Lin, Hong-Shiang, Chang, Chao-Chin, Chang, Hsu-Yu, Chuang, Yung-Yu, Lin, Tzong-Li, Ouhyoung, Ming
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits & Systems for Video Technology; Apr2019, Vol. 29 Issue 4, p915-929, 15p
Autor:
Chang, Hsu-Yu, Chopra, Saurabh, Adams, Bruce, Li, Jiping, Sharma, Shashank, Kim, Yihwan, Moffatt, Steve, Woo, Jason C.S.
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2013 80:59-62
Autor:
Chang, Hsu-Yu.
Thesis (M.A.)--National Taiwan University Department of Mechanical Engineering.
Non-Latin script record. Includes bibliographical references.
Non-Latin script record. Includes bibliographical references.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.