Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Chang, V. S."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kubicek, S., Schram, T., Rohr, E., Paraschiv, V., Vos, R., Demand, M., Adelmann, C., Witters, T., Nyns, L., Delabie, A., Ragnarsson, L. Å, Chiarella, T., Kerner, C., Mercha, A., Parvais, B., Aoulaiche, M., Ortolland, C., Yu, H., Veloso, A., Witters, L., Singanamalla, R., Kauerauf, T., Brus, S., Vrancken, C., Chang, V. S., Chang, S. Z., Mitsuhashi, R., Okuno, Y., Akheyar, A., Cho, H. J., Hooker, J., O'Sullivan, B. J., Van Elshocht, S., De Meyer, K., Jurczak, M., Absil, P., Biesemans, S., Hoffmann, T.
We discuss several advancements over our previous report [1]: - Introduction of conventional stress boosters resulting in 16% and 11% for nMOS and pMOS respectively. For the first time the compatibility of SMT (Stress memorization technique) with Hig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3848::35699497d2d8ed11e45d9b9a07e4d229
https://biblio.vub.ac.be/vubir/strain-enhanced-lowvt-cmos-featuring-laaldoped-hfsiotac-and-10ps-invertor-delay(51cf1eae-ab81-4380-9bcc-4ba3ddc7611b).html
https://biblio.vub.ac.be/vubir/strain-enhanced-lowvt-cmos-featuring-laaldoped-hfsiotac-and-10ps-invertor-delay(51cf1eae-ab81-4380-9bcc-4ba3ddc7611b).html
Autor:
Adelmann, C., Lehnen, P., Ragnarsson, L.-Å., Conard, T., Franquet, A., Chang, V. S., Rohr, E., Meersschaut, J., Boissière, O., Lohe, C., Schram, T., Van Elshocht, S., De Gendt, S.
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2008, Vol. 1073 Issue 1, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Macromolecular Science: Part A - Chemistry; Jul1982, Vol. 18 Issue 1, p39-46, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yu, H. Y., Singanamalla, R., Ragnarsson, L.-A., Chang, V. S., Cho, H.-J., Mitsuhashi, R., Adelmann, C., Van Elshocht, S., Lehnen, P., Chang, S. Z., Yin, K. M., Schram, T., Kubicek, S., De Gendt, S., Absil, P., De Meyer, K., Biesemans, S.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; Jul2007, Vol. 28 Issue 7, p656-658, 3p, 1 Diagram, 3 Graphs
Autor:
Yen, F. Y., Hung, C. L., Hou, Y. T., Hsu, P. F., Chang, V. S., Lim, P. S., Yao, L. G., Jiang, J. C., Lin, H. J., Chen, C. C., Jin, Y., Jang, S. M., Tao, H. J., Chen, S. C., Liang, M. S.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; Mar2007, Vol. 28 Issue 3, p201-203, 3p, 4 Graphs