Zobrazeno 1 - 10 of 16 pro vyhledávání: '"Chang, Te‐Tse"'
1
Akademický článek
Paramagnetic resonance of Dy3+ in CdF2.
Autor: Chang, Te-Tse, Cohen, Martin I.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; Jun1976, Vol. 64 Issue 12, p5255-5260, 6p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Phase Transitions in CsPbCl3.
Autor: Cohen, M. I., Young, K. F., Chang, Te-Tse, Brower, W. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec1971, Vol. 42 Issue 13, p5267-5272, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Superhyperfine Interactions in CdF2:Yb.
Autor: Chang, Te-Tse, Cohen, M. I., Hosler, W. R.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; May1971, Vol. 54 Issue 10, p4278-4280, 3p
Zobrazit plný text záznamu
4
Periodical
Paramagnetic resonance of Dy3+in CdF2
Autor: Chang, Te‐Tse, Cohen, Martin I.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; June 1976, Vol. 64 Issue: 12 p5255-5260, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Low Temperature Optical-EPR Sample Probe Using Tunable Coaxial Coupling.
Autor: Ensign, T. C., Chang, Te-Tse
Publikováno v: Review of Scientific Instruments; Feb1969, Vol. 40 Issue 2, p268-270, 3p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Quantitative EPR spectroscopy: Comparison between primary standards and application to MgO-MnO and α-Al2O3-Cr2O3 solid solutions.
Autor: Cordischi, D., Occhiuzzi, M., Dragone, R.
Publikováno v: Applied Magnetic Resonance; Mar1999, Vol. 16 Issue 3, p427-445, 19p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Test studies of some conventional CW EPR spectrometer settings.
Autor: Yordanov, N., Ivanova, M.
Publikováno v: Applied Magnetic Resonance; Feb1994, Vol. 6 Issue 1/2, p347-357, 11p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Notes, Bibliographies, and Documents.
Autor: Wilson, Joan Hoff, Hsü, Immanuel C.Y.
Publikováno v: International History Review; Jan1979, Vol. 1 Issue 1, p84-120, 37p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Literature guide to pyroelectricity 1970-1972.
Autor: Lang, Sidney B.
Publikováno v: Ferroelectrics; Jan1973, Vol. 5 Issue 1, p125-151, 27p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
The .Si identical to Si3 defect at various (111)Si/SiO2 and (111)Si/Si3N4 interfaces.
Autor: Stesmans, A.
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; Dec1989, Vol. 4 Issue 12, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje