Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"Chang, S. Z."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kubicek, S., Schram, T., Rohr, E., Paraschiv, V., Vos, R., Demand, M., Adelmann, C., Witters, T., Nyns, L., Delabie, A., Ragnarsson, L. Å, Chiarella, T., Kerner, C., Mercha, A., Parvais, B., Aoulaiche, M., Ortolland, C., Yu, H., Veloso, A., Witters, L., Singanamalla, R., Kauerauf, T., Brus, S., Vrancken, C., Chang, V. S., Chang, S. Z., Mitsuhashi, R., Okuno, Y., Akheyar, A., Cho, H. J., Hooker, J., O'Sullivan, B. J., Van Elshocht, S., De Meyer, K., Jurczak, M., Absil, P., Biesemans, S., Hoffmann, T.
We discuss several advancements over our previous report [1]: - Introduction of conventional stress boosters resulting in 16% and 11% for nMOS and pMOS respectively. For the first time the compatibility of SMT (Stress memorization technique) with Hig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3848::35699497d2d8ed11e45d9b9a07e4d229
https://biblio.vub.ac.be/vubir/strain-enhanced-lowvt-cmos-featuring-laaldoped-hfsiotac-and-10ps-invertor-delay(51cf1eae-ab81-4380-9bcc-4ba3ddc7611b).html
https://biblio.vub.ac.be/vubir/strain-enhanced-lowvt-cmos-featuring-laaldoped-hfsiotac-and-10ps-invertor-delay(51cf1eae-ab81-4380-9bcc-4ba3ddc7611b).html
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/1/1995, Vol. 77 Issue 3, p1040, 3p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.