Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Origin of Voids at the SiO2/SiO2 and SiCN/SiCN Bonding Interface Using Positron Annihilation Spectroscopy and Electron Spin Resonance.

Autor: Nagano, F., Inoue, F., Phommahaxay, A., Peng, L., Chancerel, F., Naser, H., Beyer, G., Uedono, A., Beyne, E., De. Gendt, S., Iacovo, S.

Publikováno v: ECS Journal of Solid State Science & Technology; Mar2023, Vol. 12 Issue 3, p1-8, 8p

La répartition de l'Anguille en France

Autor: CHANCEREL F.

Publikováno v: Knowledge and Management of Aquatic Ecosystems, Vol 0, Iss 335, Pp 289-294 (1994)

Externí odkaz: https://doaj.org/article/365971ab20484841a6a95e5a7e45e178

Technological developments of epitaxial lift-off process over InP substrates

Autor: Chancerel, F., Regreny, P., Leclercq, J.L., JAOUAD, A., DARNON, M., FAFARD, S., Gendry, M., Aimez, Vincent

Publikováno v: Journées nationales sur les technologies émergentes en micro nanofabrication (JNTE 2017)
Journées nationales sur les technologies émergentes en micro nanofabrication (JNTE 2017), Nov 2017, Orléans, France

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::050067a191032352bd4ebe1085cd75f0
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02073141

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.