Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Chan, V. C."'
Autor:
Chan, V. C., Buehler, T. M., Ferguson, A. J., McCamey, D. R., Reilly, D. J., Dzurak, A. S., Clark, R. G., Yang, C., Jamieson, D. N.
We report on millikelvin charge sensing measurements of a silicon double-dot system fabricated by phosphorus ion implantation. An aluminum single-electron transistor (SET) is capacitively coupled to each of the implanted dots enabling the charging be
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0602538
Autor:
Biercuk, M. J., Reilly, D. J., Buehler, T. M., Chan, V. C., Chow, J. M., Clark, R. G., Marcus, C. M.
We report fast, simultaneous charge sensing and transport measurements of gate-defined carbon nanotube quantum dots. Aluminum radio frequency single electron transistors (rf-SETs) capacitively coupled to the nanotube dot provide single-electron charg
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0510550
Autor:
Chan, V. C., McCamey, D. R., Buehler, T. M., Ferguson, A. J., Reilly, D. J., Dzurak, A. S., Clark, R. G., Yang, C., Jamieson, D. N.
We report on the fabrication and electrical characterization at millikelvin temperatures of a novel silicon single-electron transistor (Si-SET). The island and source-drain leads of the Si-SET are formed by the implantation of phosphorus ions to a de
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0510373
We report low frequency charge noise measurement on silicon substrates with different phosphorus doping densities. The measurements are performed with aluminum single electron transistors (SETs) at millikelvin temperatures where the substrates are in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0410663
Autor:
Buehler, T. M., Reilly, D. J., Starrett, R. P., Chan, V. C., Hamilton, A. R., Dzurak, A. S., Clark, R. G.
Telegraph noise, which originates from the switching of charge between meta-stable trapping sites, becomes increasingly important as device sizes approach the nano-scale. For charge-based quantum computing, this noise may lead to decoherence and loss
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0409568
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 4/17/2006, Vol. 88 Issue 16, p162117, 3p, 3 Graphs
Publikováno v:
Journal of Biological Chemistry; November 1997, Vol. 272 Issue: 46 p28837-40, 4p