Zobrazeno 1 - 10
of 149
pro vyhledávání: '"Chalkov, V."'
Autor:
Shengurov, V.G., Denisov, S.A., Yu. Chalkov, V., Filatov, D.O., Kudrin, A.V., Sychyov, S.M., Trushin, V.N., Zaitsev, A.V., Titova, A.M., Alyabina, N.A.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B September 2020 259
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alyabina, N. A., Arkhipova, E. A., Buzynin, Yu. N., Denisov, S. A., Zdoroveishchev, A. V., Titova, A. M., Chalkov, V. Yu., Shengurov, V. G.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Jun2024, Vol. 53 Issue 3, p197-201, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Shengurov V. G., null Zdoroveishchev A. V., null Alyabina N. A., null Chalkov V. Yu., null Denisov S. A., null Titova A. M.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:625
Heteroepitaxial Ge or Ge1-xSnx layers were grown by hot-wire chemical vapor deposition on Si(001) substrates doped heavily with a donor (As or Sb) impurity. The same layers were also grown on high-resistance Si(001) substrates for comparison. The dep
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::268d72a883f8fce9292bf2a7727c0cb6
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54124.36
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54124.36
Autor:
null Shengurov V. G., null Chalkov V. Yu., null Denisov S. A., null Gorshkov A. P., null Ershov A. V., null Kruglov A.V., null Antonov I. N., null Shenina M. E., null Filatov D. O., null Koryazhkina M. N.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:509
The effect of optical radiation in the visible and near-infrared bands on resistive switching of a MOS stack based on ZrO2(Y) film on an n-Si(001) substrate with self-assembled Ge nanoislands on its surface has been studied. An increase in the resist
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0682be7a293b5cd76cfea526ddaefc1b
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54104.21
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54104.21
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shengurov, V.1, Chalkov, V.1, Denisov, S.1, Matveev, S.2 matveevsa.sou@gmail.com, Nezhdanov, A.2, Mashin, A.2, Filatov, D.1, Stepikhova, M., Krasilnik, Z.
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2016, Vol. 50 Issue 9, p1248-1253. 6p.