Zobrazeno 1 - 10
of 292
pro vyhledávání: '"Chalker, P. R."'
Autor:
Barthel, A., Roberts, J. W., Napari, M., Huq, T. N., Kovács, A., Oliver, R. A., Chalker, P. R., Sajavaara, T., Massabuau, F. C-P.
The suitability of Ti as a band gap modifier for $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ was investigated, taking advantage of the isostructural {\alpha}-phases and high band gap difference between Ti$_2$O$_3$ and Ga$_2$O$_3$. Films of Ti:Ga$_2$O$_3$, with a range of T
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.01422
Autor:
Swallow, Jack E. N., Vorwerk, Christian, Mazzolini, Piero, Vogt, Patrick, Bierwagen, Oliver, Karg, Alexander, Eickhoff, Martin, Schörmann, Jörg, Wagner, Markus R., Roberts, Joseph W., Chalker, Paul R., Smiles, Matthew J., Murgatroyd, Philip A. E., Razek, Sara A., Lebens-Higgins, Zachary W., Piper, Louis F. J., Jones, Leanne A. H., Thakur, Pardeep Kumar, Lee, Tien-Lin, Varley, Joel B., Furthmüller, Jürgen, Draxl, Claudia, Veal, Tim D., Regoutz, Anna
Publikováno v:
Chemistry of Materials 32, 8460 2020
The search for new wide band gap materials is intensifying to satisfy the need for more advanced and energy efficient power electronic devices. Ga$_2$O$_3$ has emerged as an alternative to SiC and GaN, sparking a renewed interest in its fundamental p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.13395
Autor:
Roberts, J. W., Chalker, P. R., Ding, B., Oliver, R. A., Gibbon, J. T., Jones, L. A. H., Dhanak, V. R., Phillips, L. J., Major, J. D., Massabuau, F. C-P.
Plasma enhanced atomic layer deposition was used to deposit thin films of Ga2O3 on to c-plane sapphire substrates using triethylgallium and O2 plasma. The influence of substrate temperature and plasma processing parameters on the resultant crystallin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.06914
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Partida-Manzanera, T., Zaidi, Z. H., Roberts, J. W., Dolmanan, S. B., Lee, K. B., Houston, P. A., Chalker, P. R., Tripathy, S., Potter, R. J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/21/2019, Vol. 126 Issue 3, pN.PAG-N.PAG, 7p, 1 Diagram, 5 Graphs
Autor:
Nicol, D., Oshima, Y., Roberts, J. W., Penman, L., Cameron, D., Chalker, P. R., Martin, R. W., Massabuau, F. C.-P.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 2/6/2023, Vol. 122 Issue 6, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.