Zobrazeno 1 - 10
of 99
pro vyhledávání: '"Chakarov, I."'
Autor:
Schenkel, T., Tyryshkin, A. M., de Sousa, R., Whaley, K. B., Bokor, J., Liddle, J. A., Persaud, A., Shangkuan, J., Chakarov, I., Lyon, S. A.
We implanted ultra low doses (2x10^11 cm-2) of 121Sb ions into isotopically enriched 28Si and find high degrees of electrical activation and low levels of dopant diffusion after rapid thermal annealing. Pulsed Electron Spin Resonance shows that spin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0507318
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Progress in Surface Science 2006 81(6):247-335
Autor:
Boucard, F., Roger, F., Chakarov, I., Zhuk, V., Temkin, M., Montagner, X., Guichard, E., Mathiot, D.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2005 124:409-414
Autor:
Valkanov, St.1 nhk_stz@yahoo.com, Chakarov, I.2, Popkharitov, Ts.1, Popkharitov, A.1, Chakarova, B.3, Chakarova, P.2, Valkanov, P.1, Petrov, B.1, Mindov, I.
Publikováno v:
Trakia Journal of Sciences. 2015, Vol. 13 Issue 4, p50-55. 6p.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2003 67:534-541
Publikováno v:
In Applied Surface Science 14 February 2002 187(1-2):145-153
Autor:
Ignatova, V *, Chakarov, I
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 2002 158:281-287