Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Chai, Jian Wei"'
Autor:
Venkatakrishnarao, Dasari, Mishra, Abhishek, Tarn, Yaoju, Bosman, Michel, Lee, Rainer, Das, Sarthak, Mukherjee, Subhrajit, Talha-Dean, Teymour, Zhang, Yiyu, Teo, Siew Lang, Chai, Jian Wei, Bussolotti, Fabio, Goh, Kuan Eng Johnson, Lau, Chit Siong
Publikováno v:
ACS Nano, 2024
Two-dimensional van der Waals semiconductors are promising for future nanoelectronics. However, integrating high-k gate dielectrics for device applications is challenging as the inert van der Waals material surfaces hinder uniform dielectric growth.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.12485
Autor:
Zhang, Yiyu, Venkatakrishnarao, Dasari, Bosman, Michel, Fu, Wei, Das, Sarthak, Bussolotti, Fabio, Lee, Rainer, Teo, Siew Lang, Huang, Ding, Verzhbitskiy, Ivan, Jiang, Zhuojun, Jiang, Zhuoling, Chai, Jian Wei, Tong, Shi Wun, Ooi, Zi-En, Wong, Calvin Pei Yu, Ang, Yee Sin, Goh, Kuan Eng Johnson, Lau, Chit Siong
Two-dimensional (2D) semiconductors are promising channel materials for continued downscaling of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) logic circuits. However, their full potential continues to be limited by a lack of scalable high-k dielect
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.14426
Autor:
Chen, Chang Pang, Ong, Bin Leong, Ong, Sheau Wei, Ong, Weijie, Tan, Hui Ru, Chai, Jian Wei, Zhang, Zheng, Wang, Shi Jie, Pan, Ji Sheng, Harrison, Leslie John, Kang, Hway Chuan, Tok, Eng Soon
Publikováno v:
In Applied Surface Science 31 October 2017 420:523-534
Publikováno v:
Materials Science Forum; December 2023, Vol. 1108 Issue: 1 p59-65, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lau, Chit Siong, Chee, Jing Yee, Cao, Liemao, Ooi, Zi‐En, Tong, Shi Wun, Bosman, Michel, Bussolotti, Fabio, Deng, Tianqi, Wu, Gang, Yang, Shuo‐Wang, Wang, Tong, Teo, Siew Lang, Wong, Calvin Pei Yu, Chai, Jian Wei, Chen, Li, Zhang, Zhong Ming, Ang, Kah‐Wee, Ang, Yee Sin, Goh, Kuan Eng Johnson
Publikováno v:
Advanced Materials; 6/23/2022, Vol. 34 Issue 25, p1-11, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.