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pro vyhledávání: '"Chabane Sari, N."'
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Humboldt-Kolleg Research to Applications & Markets (RAM’2019)
Humboldt-Kolleg Research to Applications & Markets (RAM’2019), Oct 2019, Hammamet, Tunisia
Humboldt-Kolleg Research to Applications & Markets (RAM’2019), Oct 2019, Hammamet, Tunisia
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International Conference NANOstructures and nanomaterials SElf-Assembly 2018 (7th edition)
International Conference NANOstructures and nanomaterials SElf-Assembly 2018 (7th edition), Jul 2018, Carqueiranne, France
International Conference NANOstructures and nanomaterials SElf-Assembly 2018 (7th edition), Jul 2018, Carqueiranne, France
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19th Tunisia Chemistry Conference (TCC’16)
19th Tunisia Chemistry Conference (TCC’16), Dec 2016, Hammamet, Tunisia
19th Tunisia Chemistry Conference (TCC’16), Dec 2016, Hammamet, Tunisia
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Publikováno v:
Synthèse: Revue des Sciences et de la Technologie; Vol 17 (2008); 5-13
L'anodisation du silicium dans des solutions d’acide hydrofluorique HF est une méthode acquise dans la préparation du silicium poreux avec des applications potentielles dans les domaines tels l’électronique, l’optique ainsi que la technologi
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https://www.ajol.info/index.php/srst/article/view/117856
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Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/1/1992, Vol. 71 Issue 7, p3320, 5p, 1 Chart, 5 Graphs
Publikováno v:
Journal of Hearing Science. 2018, Vol. 8 Issue 2, p190-191. 2p.
Hot carrier effects in semiconductors are crucial phenomena or electron devices, since they play an important role in the device. One of the most powerful tools to describe hot carrier effects is ensemble Monte Carlo (EMC) simulation. This article re
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2678::aefacb6e9b205413de0accdfb2b8b64a
http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/1639
http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/1639
Autor:
Bouchaour, M., Maloufi, N., Gautier, S., Martin, J., Baghdadli, T., Ould Saad Hamady, S., Chabane Sari, N.-E., Ougazzaden, A.
Publikováno v:
ICRESD'07
ICRESD'07, 2007, Tlemcen, Algeria
ICRESD'07, 2007, Tlemcen, Algeria
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00182455
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Le transistor à effet de champ (TEC) est un des composants majeurs utilisé dans les dispositifs électroniques, les premiers transistors (TEC) ont été réalisés en silicium, qui fonctionne avec des fréquences maximales de l’ordre de 1 à 3 Gh
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2678::2d476f2a9be8ecb48fdda76fee280be9
http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/869
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