Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Ch. Stepper"'
Autor:
Doris Schmitt-Landsiedel, M. Oswald, M. Weis, Peng-Fei Wang, Ch. Stepper, K. Hilsenbeck, Th. Nirschl, Walter Hansch
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:2281-2286
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is scaling to a “tunneling epoch”, in which multiple leakage current induced by different tunneling effects exist. The complementary Si-based tunneling transistors are presented in th
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.