Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Ch. Sohl"'
Autor:
Michele Perego, Dimitris Tsoukalas, Ch. Sohl, D. Skarlatos, V. Soncini, Panagiotis Dimitrakis, Alain Claverie, Caroline Bonafos, R Sotgiu, Marco Fanciulli, E. Kapetanakis, G Ben Asssayag, A. Agarwal, Pascal Normand, M. Ameen
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:1511-1517
Si-nanocrystal memory devices aiming at low-voltage non-volatile memory applications are explored. The devices consist of a single metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor with silicon nanocrystals fabricated through ultra-low-energy (1 keV)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bee414f49a3dad9222add03471d8654c
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.03.016
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.03.016
Autor:
Konstantinos Beltsios, D. Skarlatos, Marzia Carrada, Caroline Bonafos, Dimitris Tsoukalas, Pascal Normand, Nikolay Cherkashin, Gérard Benassayag, M. Ameen, Panagiotis Dimitrakis, V. Soncini, Alain Claverie, E. Kapetanakis, A. Agarwal, Ch. Sohl
Publikováno v:
Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, 2003, 67-68, pp.629-634. ⟨10.1016/S0167-9317(03)00124-2⟩
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2003, 67-68, pp.629-634. ⟨10.1016/S0167-9317(03)00124-2⟩
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2003, 67-68, pp.629-634. 〈10.1016/S0167-9317(03)00124-2〉
Microelectronic Engineering, 2003, 67-68, pp.629-634. ⟨10.1016/S0167-9317(03)00124-2⟩
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2003, 67-68, pp.629-634. ⟨10.1016/S0167-9317(03)00124-2⟩
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2003, 67-68, pp.629-634. 〈10.1016/S0167-9317(03)00124-2〉
The structural and electrical characteristics of thin silicon dioxide layers with embedded Si nanocrystals are reported fabricated by low-energy silicon implantation and with subsequent annealing in inert and diluted oxygen. Thermal treatment in dilu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fa98b607fa845a5aa2916d9d335251f8
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(03)00124-2
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(03)00124-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sohl CH; Department of Physics, Northwestern University, Evanston, IL 60201, USA., Miyano K, Ketterson JB
Publikováno v:
The Review of scientific instruments [Rev Sci Instrum] 1978 Oct; Vol. 49 (10), pp. 1464.