Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Ch. Kernstock"'
Autor:
Oliver Triebl, Hubert Enichlmair, Ivan A. Starkov, Christoph Jungemann, Hajdin Ceric, Rainer Minixhofer, Johann Cervenka, Stanislav Tyaginov, Jong Mun Park, Markus Karner, Sara Carniello, E. Seebacher, Tibor Grasser, Ch. Kernstock
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 50:1267-1272
We refine our approach for hot-carrier degradation modeling based on a thorough evaluation of the carrier energy distribution by means of a full-band Monte–Carlo simulator. The model is extended to describe the linear current degradation over a wid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eea954d23cc463946930f83ca27b96d6
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2010.07.030
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2010.07.030
Autor:
Christoph Jungemann, Stanislav Tyaginov, Oliver Triebl, Ivan A. Starkov, Jong Mun Park, Markus Karner, Ch. Kernstock, Tibor Grasser, Hubert Enichlmair
Publikováno v:
2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits.
We analyze the impact of oxide thickness variations on hot-carrier degradation. For this purpose, we develop an analytical approximation of our hot-carrier degradation (HCD) model. As this approximation is derived from a physics-based model of HCD, i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6b327c75a13f095b110eb94d6a733edf
https://doi.org/10.1109/ipfa.2012.6306265
https://doi.org/10.1109/ipfa.2012.6306265
Autor:
Tibor Grasser, Ch. Kernstock, Hajdin Ceric, E. Seebacher, Oliver Triebl, Markus Karner, Stanislav Tyaginov, Christoph Jungemann, Ivan A. Starkov, Rainer Minixhofer, Jong Mun Park, Sara Carniello, Hubert Enichlmair, Johann Cervenka
Publikováno v:
2010 17th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits.
Using a physics-based model for hot-carrier degradation we analyze the worst-case conditions for long-channel transistors of two types: a relatively low voltage n-MOSFET and a high-voltage p-LDMOS. The key issue in the hot-carrier degradation model i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae1c938e6bb4227f8cf12730ff4025cc
https://doi.org/10.1109/ipfa.2010.5532230
https://doi.org/10.1109/ipfa.2010.5532230
Autor:
Tibor Grasser, Oliver Triebl, Ch. Kernstock, Jong Mun Park, Ivan A. Starkov, Markus Karner, E. Seebacher, Johann Cervenka, Stanislav Tyaginov, Hajdin Ceric, Christoph Jungemann, Rainer Minixhofer, Sara Carniello, Hubert Enichlmair
Publikováno v:
2010 17th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits.
We propose and verify a model for hot carrier degradation based on the exhaustive evaluation of the energy distribution function for charge carriers in the channel by means of a full-band Monte-Carlo device simulator. This approach allows us to captu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e2000458416d4a3a69bee7ff2e88d031
https://doi.org/10.1109/ipfa.2010.5532001
https://doi.org/10.1109/ipfa.2010.5532001
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.