Zobrazeno 1 - 10 of 174 pro vyhledávání: '"Cerofolini, G. F."'
1
Report
Industrially Scalable Process for Silicon Nanowires for Seebeck Generators
Autor: Cerofolini, G. F., Ferri, M., Romano, E., Roncaglia, A., Selezneva, E., Arcari, A., Suriano, F., Veronese, G. P., Solmi, S., Narducci, D.
Publikováno v: Proceedings of the 8th European Conference on Thermoelectrics, Como, 2010, p. 147-151
The observation that the thermal conductivity of single-crystalline silicon nanowires with diameter on the length scale of 25 nm is lower than that of bulk material by two orders of magnitude has attracted the interest onto silicon as a potentially e
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1011.4700
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Adsorption/Desorption Equilibria and Kinetics at Reconstructible Surfaces.
Autor: Cerofolini, G. F.1
Publikováno v: Adsorption Science & Technology. Jun2011, Vol. 29 Issue 5, p425-442. 18p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
How silylene defects at (100) Si surfaces can account for the anomalous features observed via x-ray photoelectron spectroscopy.
Autor: Cerofolini, G. F., Giorgi, G., Sgamellotti, A., Belanzoni, P.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; 5/14/2009, Vol. 130 Issue 18, p184702, 10p, 11 Diagrams, 5 Charts
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Molecular electronics in silico.
Autor: Cerofolini, G. F.1 gianfranco.cerofolini@st.com, Romano, E.2
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. May2008, Vol. 91 Issue 2, p181-210. 30p. 3 Black and White Photographs, 21 Diagrams, 7 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Realistic limits to computation. II. The technological side.
Autor: Cerofolini, G. F.1 gianfranco.cerofolini@st.com
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Jan2007, Vol. 86 Issue 1, p31-42. 12p. 6 Diagrams, 3 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Realistic limits to computation I. Physical limits.
Autor: Cerofolini, G. F.1 gianfranco.cerofolini@st.com
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Jan2007, Vol. 86 Issue 1, p23-29. 7p. 2 Diagrams.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
A model for oxidation kinetics in air at room temperature of hydrogen-terminated (1 0 0) Si.
Autor: Cerofolini, G. F., Mascolo, D., Vlad, M. O.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/2006, Vol. 100 Issue 5, p054308, 11p, 3 Diagrams, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Nearly flat, terraced, hydrogen-terminated, 1×1 (100) silicon prepared by high-temperature exposure to H2.
Autor: Cerofolini, G. F.1 gianfranco.cerofolini@st.com, Galati, C.1, Giorgi, G.2, Motta, A.3, Reina, S.1, Renna, L.1, Terrasi, A.4
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Sep2005, Vol. 81 Issue 4, p745-751. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
The early oxynitridation stages of hydrogen-terminated (100) silicon after exposure to N2?:?N2O. IV: Oxide structure and growth kinetics in the monolayer regime.
Autor: Cerofolini, G. F.1 gianfranco.cerofolini@st.com, Galati, C.1, Reina, S.1, Renna, L.1, Ward, P.1
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Jun2005, Vol. 81 Issue 1, p187-191. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Theoretical search for atomic-like states of silicon at the surface of thermally grown SiO2 films on silicon surfaces.
Autor: Cerofolini, G. F.1 gianfranco.cerofolini@st.com, Belanzoni, P.2, Giorgi, G.2, Sgamellotti, A.2
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. May2005, Vol. 80 Issue 8, p1617-1623. 7p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje