Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Cea, S. M."'
Autor:
Kotlyar, R., Linton, T. D., Rios, R., Giles, M. D., Cea, S. M., Kuhn, K. J., Povolotskyi, Michael, Kubis, Tillmann, Klimeck, Gerhard
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jun2012, Vol. 111 Issue 12, p123718, 11p
Autor:
Kotlyar, R. L, Linton, T. D., Rios, R., Giles, M. D., Cea, S. M., Kuhn, K. J., Povolotskyi, Michael, Kubis, Tillmann, Klimeck, Gerhard
Publikováno v:
Birck and NCN Publications
The hole surface roughness and phonon limited mobility in the silicon h100i, h110i, and h111i square nanowires under the technologically important conditions of applied gate bias and stress are studied with the self-consistent Poisson-sp3d5s*-SO tigh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______540::2f36fd17008a16a35f93cf03fb6e6c94
http://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1870&context=nanopub
http://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1870&context=nanopub
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Grasser, Tibor, Selberherr, Siegfried, Cea, S. M., Eremenko, A., Fleischmann, P., Giles, M. D., Halama, S., Heinz, F. O., Ivanov, A. N., Keys, P. H., Lilak, A. D.
Publikováno v:
Simulation of Semiconductor Processes & Devices 2007; 2007, p361-364, 4p
Autor:
Law, M. E., Cea, S. M.
Publikováno v:
Computational Materials Science; 1998, Vol. 12 Issue: 4 p289-308, 20p