Zobrazeno 1 - 10
of 17 721
pro vyhledávání: '"Cdse"'
Publikováno v:
Journal of Information Display, Vol 25, Iss 4, Pp 379-386 (2024)
We developed a high-performance CdSe/ZnS quantum-dot light-emitting diode (QLED) incorporating a hole injection layer (HIL) composed of a solution-processed vanadium oxide (VO) and molybdenum oxide (MoO) mixture. The QLED with a VO:MoO ratio of 1:1 i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b942d3f7c7854c60bac7569a0e926d0d
Autor:
L.N. Ibrahimova, N.M. Abdullayev, N.A. Gardashbeyova, A.S. Alekperov, S.R. Azimova, Y.I. Aliyev
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 3, Pp 340-343 (2024)
In this work, the photoconductivity (PC) spectrum of thin CdSe films was studied. In the course of studies on glass substrates, thin films of cadmium and selenium with a thickness of h = 200 nm and h = 400 nm were selected. The thickness of the sampl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a13b173bac1f4b8f8dbacdf26c7921d7
Autor:
Ahed H. Zyoud
Publikováno v:
Photochem, Vol 4, Iss 3, Pp 334-345 (2024)
This study investigates the relationships among redox couple activity, electrolyte concentration, and efficiency in CdSe thin-film photoelectrochemical solar cells. A CdSe photo-electrode was prepared using the electro-depositing technique to produce
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1e016028e37549b98aba91f5f1bd9385
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 2, Pp 293-296 (2024)
Thin films of cadmium selenide with a thickness h = 200-500 nm were obtained and their surface properties were studied. The studies were carried out using a Scanning Electron Microscope. It was found that with increasing thickness of thin layers, the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bdb815302ec240588ce82eff827f7b0e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
A study combining infrared (IR) absorption spectroscopy and first-principles theory is presented for a sulfur–oxygen complex in CdSe characterized by IR absorption lines located at 1094, 1107, and 1126 cm-1 (10 K). The properties of the center are
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A91967
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A91967/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A91967/attachment/ATT-0/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.