Zobrazeno 1 - 10
of 616
pro vyhledávání: '"Cd1-xMnxTe"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 2, Pp 144-148 (2019)
Ge-doped Cd1-xMnxTe (x = 0.02, 0.04, 0.08) crystals were grown by the Bridgman method. Carried out electrical measurements in the temperature range 280-420 K have found that the crystals’ hole conductivity is controlled by the deep compensated acce
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f6270d5335184e059c241eecb05dff30
Autor:
Victor Strebezhev, Ivan Yuriychuk, Petro Fochuk, Sergiy Nichyi, Yuriy Dobrovolsky, Victoria Tkachuk, Mykola Sorokatyi, Yurii Sorokatyi
Publikováno v:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska, Vol 10, Iss 1 (2020)
The modified surface layers of the Cd1-xMnxTe crystals were obtained by the laser recrystallization of the crystal surface with the use of millisecond and nanosecond ruby lasers. The determination and diagnostics of the layer structural state w
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e71134b072a94904a3b930b150c141d9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 2, Pp 144-148 (2019)
Ge-doped Cd1-xMnxTe (x = 0.02, 0.04, 0.08) crystals were grown by the Bridgman method. Carried out electrical measurements in the temperature range 280-420 K have found that the crystals’ hole conductivity is controlled by the deep compensated acce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b2507e6a9a913fb4eb69d62fd54393d7
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3832
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3832
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.