Zobrazeno 1 - 10
of 211
pro vyhledávání: '"Castellani, N."'
Autor:
Esmanhotto, E., Hirtzlin, T., Castellani, N., Martin, S., Giraud, B., Andrieu, F., Nodin, J. F., Querlioz, D., Portal, J-M., Vianello, E.
Crossbar arrays of resistive memories (RRAM) hold the promise of enabling In-Memory Computing (IMC), but essential challenges due to the impact of device imperfection and device endurance have yet to be overcome. In this work, we demonstrate experime
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.01680
Autor:
Moro, Filippo, Esmanhotto, E., Hirtzlin, T., Castellani, N., Trabelsi, A., Dalgaty, T., Molas, G., Andrieu, F., Brivio, S., Spiga, S., Indiveri, G., Payvand, M., Vianello, E.
Spiking Neural Networks (SNNs) can unleash the full power of analog Resistive Random Access Memories (RRAMs) based circuits for low power signal processing. Their inherent computational sparsity naturally results in energy efficiency benefits. The ma
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.05094
Publikováno v:
In Cortex December 2024 181:179-193
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bourgeois, G., Meli, V., Al Mamun, F., Mazen, F., Nolot, E., Martinez, E., Barnes, J.-P., Bernier, N., Jannaud, A., Laulagnet, F., Hemard, B., Castellani, N., Bernard, M., Sabbione, C., Milesi, F., Magis, T., Socquet-Clerc, C., Coig, M., Garrione, J., Cyrille, M.-C., Charpin, C., Navarro, G., Andrieu, F.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2021 126
Autor:
Galigani, M., Castellani, N., Donno, B., Franza, M., Zuber, C., Allet, L., Garbarini, F., Bassolino, M.
Publikováno v:
In Neuropsychologia November 2020 148
Autor:
Lama, G., Bourgeois, G., Bernard, M., Castellani, N., Sandrini, J., Nolot, E., Garrione, J., Cyrille, M.C., Navarro, G., Nowak, E.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2020 114
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bourgeois, G., Meli, V., Antonelli, R., Socquet-Clerc, C., Magis, T., Laulagnet, F., Hemard, B., Bernard, M., Fellouh, L., Dezest, P., Krawczyk, J., Dominguez, S., Baudin, F., Garrione, J., Pellissier, C., Dallery, J.-A., Castellani, N., Cyrille, M.-C., Charpin, C., Andrieu, F., Navarro, G.
Publikováno v:
IEEE EDTM 2023-7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing
IEEE EDTM 2023-7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing, IEEE, Mar 2023, SEOUL, South Korea. ⟨10.1109/EDTM55494.2023.10102961⟩
IEEE EDTM 2023-7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing, IEEE, Mar 2023, SEOUL, South Korea. ⟨10.1109/EDTM55494.2023.10102961⟩
International audience; In this work, we demonstrate the integration feasibility of Crossbar arrays based on Ovonic-Threshold Switching (OTS) selector and "Wall"-based Phase-Change Memory, realized with a "Double-Patterned Self-Aligned" (DPSA) struct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::436c262ec3bf28612b19a203a413dadd
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10102961
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10102961
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.