Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"Casbon, Michael"'
Autor:
Casbon, Michael Anthony
The objective of this work was to advance the design of Active Harmonic Load-Pull systems to facilitate accurate modelling of RF semiconductors, with specific regard to time dependant behaviours. Pulse capability is added, to extend the thermally saf
Externí odkaz:
https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.761307
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Uren, Michael J., Casbon, Michael A., Hirshy, Hassan, Eblabla, Abdalla, Elgaid, Khaled, Pomeroy, James W., Tasker, Paul J., Kuball, Martin
Publikováno v:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 66, NO. 4, APRIL 2019
Intrinsic limits to temperature-dependent substrate loss for GaN-on-Si technology, due to the change in resistivity of the substrate with temperature, are evaluated using an experimentally validated device simulation framework. Effect of room tempera
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.09521
Autor:
Brazzini, Tommaso, Casbon, Michael A., Sun, Huarui, Uren, Michael J., Lees, Jonathan, Tasker, Paul J., Jung, Helmut, Blanck, Hervé, Kuball, Martin
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2015 55(12) Part A:2493-2498
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Moure, Maria Rocio1 (AUTHOR), Casbon, Michael2 (AUTHOR), Ladero, Nicolas1 (AUTHOR), Fernandez‐Barciela, Monica1 (AUTHOR) monica.barciela@uvigo.es, Tasker, Paul J.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell). Oct2022, Vol. 16 Issue 12, p780-788. 9p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Higashiwaki, Masataka, Hoi Wong, Man, Kamimura, Takafumi, Nakata, Yoshiaki, Chia-Hung, Lin, Takeyama, Akinori, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, Singh, Manikant, Pomeroy, James, Uren, Michael, Casbon, Michael, Tasker, Paul, Goto, Ken, Sasaki, Kohei, Kuramata, Akito, Yamakoshi, Shigenobu, Kuball, Martin, Murakami, Hisashi, Kumagai, Yoshinao
Ga2O3 has emerged as a noteworthy ultrawide bandgap semiconductor in the past five years. Owing to excellent material properties based on an extremely large bandgap of over 4.5 eV and the commercial availability of native wafers produced from melt-gr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::e30fc5776b0f5c1e1d1ab8fc1f22c268
https://repo.qst.go.jp/records/75595
https://repo.qst.go.jp/records/75595
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.