Zobrazeno 1 - 10
of 419
pro vyhledávání: '"Carrier localization"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ping Ouyang, Kunzi Liu, Jiaxin Zhang, Qiushuang Chen, Liqiong Deng, Long Yan, Jason Hoo, Shiping Guo, Li Chen, Wei Guo, Jichun Ye
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 7, p 1076 (2023)
Semipolar AlGaN multiple quantum wells (MQWs) have unique advantages in deep ultraviolet light emitters due to the weak Quantum-Confined Stark Effect. However, their applications are hampered by the poor crystalline quality of semipolar AlGaN thin fi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/873343974c7c491080e891ae8469af81
Publikováno v:
Chip, Vol 1, Iss 1, Pp 100006- (2022)
Graphene on top of semiconductor builds an emerging highly sensitive photodetector with internal gain. Owing to the graphene/semiconductor interface junction, one kind of photo-excited carriers are drifted to graphene and the other carriers remain in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0df7370b278b4ebca23b19540261b3ca
Autor:
Valentin Jmerik, Dmitrii Nechaev, Alexey Semenov, Eugenii Evropeitsev, Tatiana Shubina, Alexey Toropov, Maria Yagovkina, Prokhor Alekseev, Bogdan Borodin, Kseniya Orekhova, Vladimir Kozlovsky, Mikhail Zverev, Nikita Gamov, Tao Wang, Xinqiang Wang, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano, Sergey Ivanov
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 6, p 1077 (2023)
This article describes GaN/AlN heterostructures for ultraviolet-C (UVC) emitters with multiple (up to 400 periods) two-dimensional (2D)-quantum disk/quantum well structures with the same GaN nominal thicknesses of 1.5 and 16 ML-thick AlN barrier laye
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e68a391da1a54fb48871c3f2373bfe32
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 8, Iss 9, Pp 1567-1577 (2019)
The luminescence and inner structure of GaAs-AlGaAs quantum well tube (QWT) nanowires were studied using low-temperature cathodoluminescence (CL) spectroscopic imaging, in combination with scanning transmission electron microscopy (STEM) tomography,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c592a9d847f1496d862d87a5fe72f43f